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公开(公告)号:CN106449616A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201611096264.7
申请日:2016-12-02
Applicant: 北京北广科技股份有限公司
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/10 , H01L23/296 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L25/50
Abstract: 本发明公开了一种大功率射频模块,包括基板,其特征在于,基板上设有电路板,电路板上设有四个场效应管芯,场效应管芯与电路板连接,电路板上设有两个源极接口、一个漏极接口、和一个栅极接口,分别与场效应管芯的对应极(源极、漏极、栅极)相连,源极接口、漏极接口、栅极接口上均设有镀银铜焊接片;电路板上设有盖板,盖板与电路板之间设有硅胶层;盖板上设有四个插槽,四个镀银铜焊接片通过插槽穿过盖板,并向盖板中部弯折;镀银铜焊接片顶部设有圆孔,盖板中部与圆孔对应的位置设有四个螺丝孔。
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公开(公告)号:CN205142016U
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201520964218.9
申请日:2015-11-26
Applicant: 北京北广科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种前级工作电压自举的驱动电路,包括与射频输出端相连的电容分压电路,电容分压电路连接整流电路,整流电路连接稳压电路,稳压电路连接减压电路,减压电路连接驱动前级和滤波电路。本实用新型省掉了从外面引进的一路前级工作电压,转而从自身的射频输出中,取射频信号,经过处理,变成前级所需要的工作电压,减少了一组的电源模块,降低了成本,并且使整机的内部布置得到了简化。
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公开(公告)号:CN205105191U
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201520956285.6
申请日:2015-11-26
Applicant: 北京北广科技股份有限公司
IPC: H03K19/0944
Abstract: 本实用新型公开了一种前后级MOSFET的G级偏置电压自举的驱动电路,包括与射频输出端相连的前级驱动电路和后级驱动电路;前级驱动电路通过第一电容分压电路与射频输出端相连,第一电容分压电路通过第一整流电路、稳压电路、减压电路与驱动前级相连;后级驱动电路通过第二电容分压电路与射频输出端相连,第二电容分压电路通过第二整流电路、第二滤波电路和电压调节电路与驱动后级相连;前级驱动电路和后级驱动电路连接形成闭合电路。本实用新型省掉了从外面引进的一路固定偏置电压,转而从自身的射频输出中,取射频信号,经过处理,变成前后级MOSFET的G级偏置电压,减少了一组的电源模块,降低了成本,并且使整机的内部布置得到了简化。
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