公开(公告)号：CN110707213B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201911145732.9

申请日：2019-11-21

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 曹丽莉 ,  王李苑 ,  缪旻 ,  张浩 ,  王涛 ,  张锦扬

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器及其制备方法，所述的阻变型选通器，结构包括从底部至顶部依次设置的衬底、底电极薄膜、功能层薄膜和顶电极薄膜，且所述底电极薄膜的面积大于所述功能层薄膜的面积；每层材料薄膜层之间没有其他材料，相邻薄膜层之间通过一定程度的相互扩散形成多级次功能层，使所述阻变型选通器在高电压下仍保持低电流值，可有效抑制阻变器件集成阵列中的串扰电流；改善功能层薄膜在真空状态下沉积得到的成分偏析问题，使高电阻状态更稳定。使底电极薄膜与功能层薄膜之间形成一种特殊的材料界面效应，在大电压下将通过该选通器的电流稳定在一个极低的固定值，形成自限流效应，省略外加钳位电流。

公开(公告)号：CN112458420A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011371020.1

申请日：2020-11-30

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 曹丽莉 ,  高洪利

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/26 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种具有纳米棒阵列的Ag2Te‑Ag2S柔性热电薄膜及其制备方法，先采用射频磁控溅射工艺在衬底上沉积得到纳米棒阵列Te薄膜，再采用真空蒸镀工艺在所述Te薄膜上沉积Ag膜，使Te与Ag发生反应生成Ag2Te‑Ag复合物膜，最后采用旋转涂膜工艺在Ag2Te‑Ag复合物膜上旋涂S膜，经退火处理后，制得所述Ag2Te‑Ag2S薄膜，具有纳米棒阵列，取向好，质量好，热电性能优异，所述Ag2Te‑Ag2S薄膜的电导率为1×103‑150×103S·m‑1，Seebeck系数为100‑800μV·K‑1。

公开(公告)号：CN111926299A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010776036.4

申请日：2020-08-05

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 曹丽莉 ,  缪旻 ,  高洪利

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种具有表面界面调控作用的多级次Cu膜及其制备方法，通过先在衬底上沉积上一层超薄铜膜，再在控制条件下对超薄铜膜进行退火处理，最后在退火处理后的超薄铜膜表面再沉积一层铜膜，最终制得具有表面界面调控作用的多级次Cu膜；本发明所述多级次Cu膜的微纳复合结构的表面积和极性发生变化，导致表面对非极性气体或水蒸气的吸附特性发生转变，所述Cu膜可实现不采用表面修饰材料的情况下由超亲水到超疏水表面的可控调节，表面接触角在6度到152度之间转换；本发明所述多级次微纳复合结构为纳米团簇与纳米颗粒的复合、纳米颗粒与纳米孔洞或纳米团簇与纳米线的复合，在基本不改变材料的电学和热学性能的情况下，实现材料表面能的调控。