公开(公告)号：CN116235025A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202180065881.3

申请日：2021-08-30

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 大久保优 ,  中込友洋

IPC: G01C3/06

Abstract: 距离图像摄像元件为，在半导体基板上形成有像素电路，该像素电路至少具备：光电转换元件，产生与从测定对象的空间入射的光相应的电荷；电荷蓄积部，蓄积电荷；传送MOS晶体管(以下称为TR)，设置在从光电转换元件将电荷向电荷蓄积部传送的传送路径上；以及电荷排出TR，设置在从光电转换元件排出电荷的排出路径上。光电转换元件在俯视时以N边形(N为5以上的整数)的形状形成在半导体基板上。传送TR与电荷排出TR的总和为N个以上，在光电转换元件的边中，在除了设置有电荷排出MOS晶体管的第一边以外的其他的第二边上各设置有1个传送TR。

公开(公告)号：CN114097085A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202080050057.6

申请日：2020-08-28

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 大久保优 ,  中込友洋

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明的光电转换元件具有基板以及光学元件，对使用射出光的光源、上述光被物体反射而得的反射光进行受光。当将向上述光电转换元件入射的上述反射光的入射能量设为I，将上述光源的平均波长为λ时的上述基板中的上述反射光的吸收系数设为α(λ)，将上述第一面上的预定区域中的上述反射光的入射能量设为A1，将上述光电转换元件不具有上述光学元件的情况下的上述第一面上的上述预定区域中的上述反射光的入射能量设为A2，将在上述基板的厚度方向上从上述预定区域平行移动了规定的距离z后的区域中的上述反射光的入射能量设为B(z)时，当满足A1≧A2且设为距离z0＝ln(2)/α(λ)时，在z＝z0的情况下，0.95＊exp(‑α(λ)＊z)≦B(z)/A≦1.05＊exp(‑α(λ)＊z)的关系式成立。

公开(公告)号：CN102282415B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201080004769.0

申请日：2010-07-14

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 中込友洋 ,  路易斯·曼努埃尔·穆里洛-莫拉 ,  大久保优

IPC: G02F1/13357 ,  F21S2/00 ,  F21V5/00 ,  F21V5/04 ,  G02B3/00 ,  G02B5/02 ,  G02B5/04 ,  F21Y101/02

CPC classification number: G02B6/0053 ,  G02B3/0056 ,  G02B3/0062 ,  G02B6/0043

Abstract: 本发明提供导光体、隐蔽构造体以及具有它们的照明装置、显示装置，该隐蔽构造体将形成在导光板的光偏转面上的光偏转元件隐蔽，并且不使画面的视场角变形且能够提高正面方向的亮度。本发明的照明装置包括：光源、将从光源入射的光从射出面射出的导光体、以及隐蔽构造体，在与该导光体的射出面相对置的面上，将从光源入射的光向射出面引导的光偏转元件沿第一方向和第二方向二维方向规则地形成。隐蔽构造体具有将沿二维方向规则地形成的光偏转元件隐蔽的功能，该隐蔽构造体将入射的光变换为相对于所述第一方向以向角度(θ)的方向倾斜的线状光。