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公开(公告)号：CN105407621B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510775032.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 兰州大学
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明公开一种适用于中子活化分析或中子照相的紧凑型D‑D发生器。本发明包括：真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统，其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D‑D聚变核反应放出中子，其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接，真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过“O”型圈实现密封，所述的离子源为双等离子源，其内通有D气体。本发明中子产额可大于1×108 s‑1量级，并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件，同时大大降低了使用的成本。
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公开(公告)号：CN107422363A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710741913.2
申请日：2017-08-25
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于植物种子中子辐照的252Cf源剂量分配辐照装置，主要包括圆筒形屏蔽体、空气通道、252Cf中子源和样品辐照区，252Cf中子源中子产额高符合中子辐照植物种子的要求，同时以252Cf中子源为球心，设置三个半径依次增大的半球区域作为样品辐照区。本发明能够按梯度辐照出任何中子吸收剂量的种子，且每梯度种子的吸收剂量具有很好的均匀性，所设三个252Cf中子源剂量分配半球区域的植物种子吸收剂量不用经过繁琐的测量和计算而直接给出，具有标准化剂量分配的特点，达到了豆类植物种子中子辐照的大部分科学研究的需要，也可应用于其它种类植物种子的辐照，还可以用于中子辐射农业生产和诱变育种。
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公开(公告)号：CN106287604A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610859607.4
申请日：2016-09-28
Applicant: 兰州大学
IPC: F21V23/00 , A01G7/04 , F21Y115/10 , F21Y107/50
CPC classification number: Y02P60/149 , F21V23/003 , A01G7/045
Abstract: 本发明公开了一种用于植物培育的光源照射装置，包括回形LED组合光源和设置在回形LED组合光源正下方的八边形辐照区，所述回形LED组合光源包括光源面板，所述光源面板上设有多层方形LED灯圈且各层方形LED灯圈均分别由四根LED灯条组成，所述多层方形LED灯圈与驱动电路相连，所述八边形辐照区的边界位于最外层方形LED灯圈垂直投影边界内。本发明的发光光谱能较好地符合植物生长所需的光谱范围，其光照强度较目前普遍使用的温室光源都强，完全能够达到中性植物生长所需的光照强度，同时采用边缘补光密集设计和内层均匀设计，在保证光源光照强度的情况下能够很好的提高光照均匀度，可以用到进行光照植物的科学实验和生产实践中。
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公开(公告)号：CN106057614A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610658654.2
申请日：2016-08-12
Applicant: 兰州大学
IPC: H01J27/04
CPC classification number: H01J27/04
Abstract: 本发明公开了一种冷阴极潘宁离子源，该冷阴极潘宁离子源阳极采用隐藏式固定结构，对阴极靠近放电室的表面采用凹形结构，阴极引出采用上下圆锥形结构；阳极上的电压通过阳极接线柱馈入，阴极板、中间电极外套、连接法兰、对阴极焊接法兰均接地，并通过陶瓷法兰和绝缘法兰保持与阳极的绝缘。本发明提高引出束流强度的同时，大大延长了离子源的使用寿命，降低了使用成本。可以引出1~5 mA的D束流，使用寿命大于500小时；所有部件均采用可拆卸式结构，可方便更换易损部件的同时，给其参数的优化留下了很大的空间，提高了整体的经济效益。
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公开(公告)号：CN105407621A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510775032.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 兰州大学
IPC: H05H3/06
CPC classification number: H05H3/06
Abstract: 本发明公开一种适用于中子活化分析或中子照相的紧凑型D-D发生器。本发明包括：真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统，其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D-D聚变核反应放出中子，其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接，真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过 “O”型圈实现密封，所述的离子源为双等离子源，其内通有D气体。本发明中子产额可大于1×108 s-1量级，并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件，同时大大降低了使用的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119882012A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510185561.1
申请日：2025-02-19
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本申请公开了一种韧致辐射X射线的能谱测量装置及方法，涉及射线探测与测量领域，该装置包括：准直器、屏蔽体、多层吸收测量组件及处理器；所述准直器的内部开设有X射线准直孔道；所述屏蔽体与所述准直器同轴安装；所述屏蔽体内开设有安装孔道；所述多层吸收测量组件设置在所述屏蔽体的安装孔道中；所述多层吸收测量组件包括依次间隔设置的多个吸收片及多个Si剂量片；电子束韧致辐X射线经所述准直器的X射线准直孔道后，在所述屏蔽体的安装孔道内对所述多层吸收测量组件进行X射线辐照；所述处理器用于根据每个Si剂量片的X射线吸收剂量确定电子束韧致辐X射线的能谱数据。本申请实现了电子束韧致辐射MeV宽能区X射线能谱的测量。
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公开(公告)号：CN114899067B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210292012.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源，属于离子源技术领域，有效解决了现有天线外置式RF离子源存在功率利用效率低和高频电磁辐射信号对紧凑型中子发生器电源及控制系统干扰的问题，包括放电腔体，所述放电腔体外侧壁上通过磁场线包支架设置有馈入端磁场线包、八极永磁体和引出端磁场线包，放电腔体的尾端可拆卸安装有束流引出端封装组件，其有益效果在于：通过采用前后端磁场线包和八极永磁体耦合的方式，产生的耦合磁场可形成有效地约束磁场，减小了离子源放电腔内高密度等离子体对离子源放电腔体的轰击概率，延长了离子源的使用寿命，同时通过利用束流引出端封装组件实现引出端的可拆卸安装，便于RF内置天线的安装更换。
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公开(公告)号：CN117288781A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311235113.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 兰州大学 , 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种六面冷变形无缝钢管硼含量及均匀性检测装置，涉及核工业无损检测技术领域。包括：检测组件，检测组件包括紧凑型D‑D中子源、中子慢化体和γ屏蔽体，中子慢化体包裹在紧凑型D‑D中子源的外围，γ屏蔽体包裹在中子慢化体的外围，γ屏蔽体面向待检测件的位置处设置检测口；传送组件，传送组件包括传送皮带、上料架、下料架和转动件，传送皮带设置在中子慢化体的一侧，待检测件放置在传送皮带上，传送皮带一端设置上料架和下料架，转动件设置在传送皮带远离上料架和下料架的一端，转动件用于转动待检测件。
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公开(公告)号：CN116582994A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310371386.6
申请日：2023-04-10
Applicant: 兰州大学
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明关于一种基于惯性静电约束聚变的同轴柱形D‑D中子发生器，涉及中子发生器技术领域。包括外壳、栅形阳极、栅形阴极、高压接头组件和观察窗，外壳一端与所述高压接头组件相连，另一端安装有观察窗；外壳内部设置有低压腔体，栅形阳极与栅形阴极安装在低压腔体内，且分别与高压接头电连接，低压腔体内部填充有氘气。本发明具有结构简单、使用寿命长、维护简单、造价低廉等优点，能够满足反应堆点火、核材料检测、航空航天元件无损检测对小型化中子发生器的要求。
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公开(公告)号：CN107195350B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201710431067.4
申请日：2017-06-08
Applicant: 兰州大学
IPC: G21C19/48
Abstract: 本发明公开了一种用于放射性裂变气体捕获的装置。由开启式四温区高温反应炉1和反应填料芯2构成，反应填料芯2内放置滤饼3。四温区高温反应炉1的四级设计温度分别为300℃、1000℃、1200℃、1400℃。反应填料芯2采用铁镍铬合金制成。四温区高温反应炉1设计真空度2×10‑5Pa。反应填料芯2的第四级204中加入挥发源205，第三级203中填入粉煤灰滤饼，第二级202填入氧化钙滤饼，第一级201填入富银沸石。本发明的有益效果是能够进行放射性裂变气体的捕获。
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