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公开(公告)号：CN110044940A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910208952.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置，包括中子发生器、3He粒子位置探测器、γ能谱探测器和数据处理系统，中子发生器包括氘离子源、引出电极和氘靶；3He粒子位置探测器包括探测头和第一数据获取处理系统，探测头设置于发生器外壳中，探测头与氘靶之间设置有粒子透射窗；γ能谱探测器包括γ射线探头和第二数据获取处理系统，γ射线探头与氘靶之间放置样品，第一数据获取处理系统和第二数据获取处理系统均与数据处理系统电性连接。本发明采用氘靶，氘氘反应产生快中子和伴随3He粒子，通过伴随3He粒子成像可获得被检测样品的元素成分和分布信息，且氘靶无放射性，制备简单，便于运输，价格低廉，大大降低了伴随粒子成像设备的运行和维护成本。
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公开(公告)号：CN109164479A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811021295.5
申请日：2018-09-03
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于裂变碎片物理测量的双屏栅气体探测器，该探测器包括两端开口、内部中空的筒体，该筒体两端开口分别通过上底板、下底板对接封口，所述筒体侧壁上设有电离气体进气口、出气口，且在上底板至下底板方向上，所述筒体内依次设有第一阳极板、第一栅极圈、阴极板、第二栅极圈、第二阳极板；所述阴极板中心处设为用于盛放待裂变的阴极靶材料位置，该位置与所述上底板上所设的中子入射窗正对。本发明探测器避免了传统测量技术化学处理和分步测量带来的误差，具有耐辐射损伤、可测量初始裂变碎片信息等优点，探测器分辨率将小于1原子质量单位，能够更为准确、完整地测量裂变碎片的质量分布信息和裂变碎片的动能分布信息。
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公开(公告)号：CN105407621B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510775032.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 兰州大学
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明公开一种适用于中子活化分析或中子照相的紧凑型D‑D发生器。本发明包括：真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统，其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D‑D聚变核反应放出中子，其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接，真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过“O”型圈实现密封，所述的离子源为双等离子源，其内通有D气体。本发明中子产额可大于1×108 s‑1量级，并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件，同时大大降低了使用的成本。
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公开(公告)号：CN106057614A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610658654.2
申请日：2016-08-12
Applicant: 兰州大学
IPC: H01J27/04
CPC classification number: H01J27/04
Abstract: 本发明公开了一种冷阴极潘宁离子源，该冷阴极潘宁离子源阳极采用隐藏式固定结构，对阴极靠近放电室的表面采用凹形结构，阴极引出采用上下圆锥形结构；阳极上的电压通过阳极接线柱馈入，阴极板、中间电极外套、连接法兰、对阴极焊接法兰均接地，并通过陶瓷法兰和绝缘法兰保持与阳极的绝缘。本发明提高引出束流强度的同时，大大延长了离子源的使用寿命，降低了使用成本。可以引出1~5 mA的D束流，使用寿命大于500小时；所有部件均采用可拆卸式结构，可方便更换易损部件的同时，给其参数的优化留下了很大的空间，提高了整体的经济效益。
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公开(公告)号：CN105407621A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510775032.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 兰州大学
IPC: H05H3/06
CPC classification number: H05H3/06
Abstract: 本发明公开一种适用于中子活化分析或中子照相的紧凑型D-D发生器。本发明包括：真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统，其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D-D聚变核反应放出中子，其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接，真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过 “O”型圈实现密封，所述的离子源为双等离子源，其内通有D气体。本发明中子产额可大于1×108 s-1量级，并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件，同时大大降低了使用的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106057614B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610658654.2
申请日：2016-08-12
Applicant: 兰州大学
IPC: H01J27/04
Abstract: 本发明公开了一种冷阴极潘宁离子源，该冷阴极潘宁离子源阳极采用隐藏式固定结构，对阴极靠近放电室的表面采用凹形结构，阴极引出采用上下圆锥形结构；阳极上的电压通过阳极接线柱馈入，阴极板、中间电极外套、连接法兰、对阴极焊接法兰均接地，并通过陶瓷法兰和绝缘法兰保持与阳极的绝缘。本发明提高引出束流强度的同时，大大延长了离子源的使用寿命，降低了使用成本。可以引出1~5 mA的D束流，使用寿命大于500小时；所有部件均采用可拆卸式结构，可方便更换易损部件的同时，给其参数的优化留下了很大的空间，提高了整体的经济效益。
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公开(公告)号：CN113673079B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202110800182.0
申请日：2021-07-15
Applicant: 兰州大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种束流纳秒脉冲成形系统参数优化仿真设计方法，属于脉冲成形系统参数优化设计技术领域，包括如下步骤；S1：建立脉冲中子发生器及其束流脉冲成形系统的束线设计方案；S2：根据步骤S1建立的束线设计方案建立P I C仿真模型；S3：根据PI C仿真模型设置束流脉冲成形系统的仿真参数，计算结果；S4：对仿真模型计算结果进行验证；S5：重复步骤S3和S4，对束流脉冲成形系统PI C仿真模型进行优化。本发明通过建立脉冲中子发射器和束流脉冲成形系统的束线设计方案，并利用束线设计方案建立了PI C仿真模型，根据对PI C仿真模型的设置参数进行不断优化，保证了建立的PI C仿真模型的精度，为束流纳秒脉冲成形系统的设计提供了有力的数据支撑。
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公开(公告)号：CN116772568A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310720364.6
申请日：2023-06-16
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及干燥装置技术领域，其目的在于提供了一种用于高压电场驱动离子风干燥技术研究的实验装置，包括电控柜和实验柜，所述实验柜内底部中间固定设置有升降机，升降机的顶端设置有精密电子秤，精密电子秤上设置有用于盛放试样的平板，平板上表面上设置有网型载物接地电极，网型载物接地电极的正上方固定设置有针型高压电极，网型载物接地电极和针型高压电极均与电控柜相连接，其有益效果在于：本发明具有多参数调节和监测功能，能够模拟不同的实验条件，结构紧凑、占地面积小，同时通过远程控制，能够有效防止电磁辐射等对人体的危害，有效解决了现有高压电场驱动离子风干燥技术的实验装置缺乏、功能单一、普适性不强的问题。
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公开(公告)号：CN114899067A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210292012.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源，属于离子源技术领域，有效解决了现有天线外置式RF离子源存在功率利用效率低和高频电磁辐射信号对紧凑型中子发生器电源及控制系统干扰的问题，包括放电腔体，所述放电腔体外侧壁上通过磁场线包支架设置有馈入端磁场线包、八极永磁体和引出端磁场线包，放电腔体的尾端可拆卸安装有束流引出端封装组件，其有益效果在于：通过采用前后端磁场线包和八极永磁体耦合的方式，产生的耦合磁场可形成有效地约束磁场，减小了离子源放电腔内高密度等离子体对离子源放电腔体的轰击概率，延长了离子源的使用寿命，同时通过利用束流引出端封装组件实现引出端的可拆卸安装，便于RF内置天线的安装更换。
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公开(公告)号：CN114566304A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210295743.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有离子质荷比甄别功能的脉冲束团成形装置，属于脉冲离子束团成形装置技术领域，有效解决了现有脉冲束团成形装置传输线较长、工程造价较高的问题，包括扫描电极和切割板，所述扫描电极与切割板之间设置有偏置电极，偏置电极和扫描电极均固定安装在接地外壳内部，且所述偏置电极和扫描电极上均设置有高频高压真空密封穿通件，所述偏置电极和扫描电极下方的接地外壳上均固定设置有接地电极，其有益效果在于：通过减少了现有脉冲束团成形装置中的分析磁铁，缩短了束流传输线长度，减少了工程造价，同时通过在扫描板后增加偏执电极板，实现了在将连续束切割成脉冲束团的同时，甄别出了质荷比最大束团。
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