生物可降解植入式无线热疗设备及其制备方法

    公开(公告)号:CN118787870A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410977958.X

    申请日:2024-07-22

    Applicant: 兰州大学

    Inventor: 兰伟 毕华盛

    Abstract: 本发明属于智慧医疗技术领域,公开了一种生物可降解植入式无线热疗设备及其制备方法,热疗设备包括由生物可降解材料制备的无线温度测量模块和负载有药物的光热治疗模块;无线温度测量模块设置于光热治疗模块的上表面,用于无线、实时、原位地监测光热治疗模块所处目标组织处的温度,为光热治疗模块提供重要信息反馈,避免过度光热导致组织烫伤或者光热不足;光热治疗模块与目标组织相接,可根据实时温度,利用外部光源调节光热治疗的热能,同时搭载的药物可以实现短期或长期的药物释放以治疗目标组织。本发明的热疗设备集成度高,具有多功能化、智能化、无线控制、生物可降解、闭环反馈控制等特点,在植入式医疗设备领域具有重要的应用前景。

    用于光电一体复合缆的透明导电缆及其制备方法

    公开(公告)号:CN118571563A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410809887.2

    申请日:2024-06-21

    Applicant: 兰州大学

    Inventor: 兰伟 雷沛明

    Abstract: 本发明属于光电一体复合缆技术领域,具体公开了一种用于光电一体复合缆的透明导电缆及其制备方法,制备方法包括在透明基材上制备呈无序网状分布的金属种子层,金属种子层内网格为微米级网格;在金属种子层上依次沉积金属导电层和纳米导电层,纳米导电层内网格为纳米级网格;在纳米导电层上沉积透明导电包覆层后进行裁剪,得到透明导电缆。本发明的透明导电缆能够兼顾透明度与导电性,与现有商用透明导电膜相比,在相同透明度下具有更好的导电性,将其应用于光电一体复合缆中,可在保证有效传输电能的同时对光学透明,且不会阻碍光纤的光信号传输,使光电一体复合缆的外观更隐秘和美观,保留了金属导线的导电性,也有助于提升整体线缆的视觉效果。

    金属氧化物基电容式离子二极管及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116313559A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310217053.8

    申请日:2023-03-08

    Applicant: 兰州大学

    Inventor: 兰伟 马鸿云

    Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物基电容式离子二极管及其制备方法和应用,制备方法包括制备金属氧化物基工作电极和多孔碳基对电极,金属氧化物基工作电极使用具有插层赝电容行为的金属氧化物;配制电解液,电解液的阴阳离子中仅有一类离子可以在金属氧化物中进行存储;将金属氧化物基工作电极和多孔碳基对电极进行组装,并置于电解液中进行封装,得到金属氧化物基电容式离子二极管。本发明首次提出采用具有插层赝电容行为的金属氧化物材料作为电容式离子二极管的电极材料,并利用其对电解液中阴阳离子的选择性存储行为实现器件单向储能的特性,制备所得金属氧化物基电容式离子二极管具有整流比、质量比电容、体积比电容、单向储能密度均较高的优点。

    一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法

    公开(公告)号:CN111139526A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN202010063893.X

    申请日:2020-01-20

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明涉及二维层状材料研究领域,具体涉及一种利用离子束溅射沉积获得单晶氮化硼薄膜的方法器。包括:使用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗单晶衬底;将清洗的单晶衬底浸入氢氟酸溶液中处理;将高纯Ni靶安置在直流磁控溅射仪的靶位上,在单晶衬底上外延生长Ni(111)取向的薄膜;将镍/单晶衬底固定在样品托上,置入离子束溅射沉积设备的生长腔室中,通过氢气和氩气处理,进行薄膜生长;将生长的薄膜冷却,获得大尺寸单晶氮化硼薄膜。

    大面积柔性导电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102496421A

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201110412040.3

    申请日:2011-12-12

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种大面积柔性导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:在Si片的上面生成一层SiO2形成衬底,利用PVD技术在衬底上沉积催化剂薄膜;将上述沉积催化剂薄膜的衬底置入CVD设备中,通入大流量的Ar和H2气体,同时将CVD温度快速升到800~1100℃,然后通入CH4气体,持续几分钟时间后,关闭CH4气阀,将CVD设备快速降温至室温,便得到了石墨烯薄膜样品;将上述石墨烯薄膜样品放入刻蚀剂中,刻蚀掉部分催化剂薄膜;利用转移印刷技术将上述石墨烯薄膜从衬底转移印刷到柔性衬底上。实现导电性好、可折叠弯曲的大面积柔性导电薄膜的目的,同时又可避免制备过程的高温环境对柔性衬底造成的损伤。

    可植入电容式离子二极管及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116230423B

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202310217033.0

    申请日:2023-03-08

    Applicant: 兰州大学

    Inventor: 兰伟 马鸿云

    Abstract: 本发明公开了一种可植入电容式离子二极管及其制备方法和应用,制备方法包括制备三氧化钼基工作电极和多孔碳基对电极;配制电解液,电解液的阴阳离子中仅有一类离子可以在三氧化钼中进行存储;将三氧化钼基工作电极和多孔碳基对电极进行组装,并置于电解液中,之后利用生物相容性材料进行封装,得到可植入电容式离子二极管。本发明首次提出采用三氧化钼赝电容材料作为电容式离子二极管的工作电极,并结合生物相容性的多孔碳对电极和生物相容性的封装材料构建兼具高整流比、高稳定性及良好生物相容性的可植入电容式离子二极管,由其搭建的逻辑运算电路可高效稳定工作,在未来活体诊疗、人机接口及神经网络交互等技术领域有着广阔的应用前景。

    一种X射线指示牌及其制备方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114167476A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111468099.4

    申请日:2021-12-03

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开了一种X射线指示牌及其制备方法。X射线指示牌的制备方法包括制备多个闪烁体材料,多个闪烁体材料具有不同的X射线辐射发光强度;将多个闪烁体材料沉积在基底上,得到具有不同X射线辐射发光强度的闪烁体片;封装闪烁体片,得到X射线指示牌。本发明的制备方法具有制备过程简单、便于操作,可批量生产、成本低廉等优点。本发明的X射线指示牌,可以实现对X射线强度肉眼可视的指示效果,可实时获知辐射强度,具有结构组分灵活多变、易于大面积制备、成本低廉、方便携带、操作简单、稳定性强等优点,适用于X射线防护、核电站防护等具有辐射暴露危险的场所。

    一种应用于X射线探测器的无铅双钙钛矿闪烁体制备方法

    公开(公告)号:CN114085669A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202111247311.4

    申请日:2021-10-26

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明涉及X射线探测器等中的闪烁体制备领域,具体涉及一种应用于X射线探测器的无铅双钙钛矿闪烁体制备方法。本发明制备方法包括如下步骤:将硝酸加到聚四氟乙烯高压反应釜中密封加热;将CsCl、AgCl、NaCl、InCl3、InBi3粉末中的一种或多种组合物充分溶解在盐酸溶剂中,形成混合溶液;将上述混合溶液倒入高压反应釜中,高温反应后进行冷却,合成出需要的样品;将所得样品过滤并使用异丙醇清洗,之后在烘箱中干燥;最后将粉末样品球磨,并压制成无铅双钙钛矿闪烁体样品。通过本方法得到的闪烁体表现出优异的发光性能以及良好的稳定性,在防伪领域具有重要的应用潜力。

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