公开(公告)号：CN100530700C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200480012530.2

申请日：2004-03-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高桥正俊 ,  大塚宽之 ,  松村英树 ,  增田淳 ,  和泉亮

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在太阳能电池(100)中，具有半导体太阳能电池衬底(66)，在该半导体太阳能电池衬底(66)中，其第1主表面上形成感光面，并且基于照射到该感光面的光，产生光电动势，上述半导体太阳能电池衬底(66)的感光面被感光面侧绝缘膜(61)覆盖，该感光面侧绝缘膜(61)是由阳离子成分的主体为硅的无机绝缘材料形成的，该感光面侧绝缘膜(61)由氧含量原子百分比小于10%的低氢含量的无机绝缘膜构成。由此，提供具有钝化效果优良，并且避免钝化效果伴随时间而变差的绝缘膜的太阳能电池。

公开(公告)号：CN101167191B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680013998.2

申请日：2006-04-11

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  直江津电子工业株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 大塚宽之 ,  高桥正俊 ,  石川直挥 ,  斋须重德 ,  植栗豊敬 ,  生岛聪之 ,  渡部武纪 ,  赤塚武 ,  大西力

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L21/2254 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。

公开(公告)号：CN101167191A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680013998.2

申请日：2006-04-11

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  直江津电子工业株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 大塚宽之 ,  高桥正俊 ,  石川直挥 ,  斋顺重德 ,  植栗豊敬 ,  生岛聪之 ,  渡部武纪 ,  赤塚武 ,  大西力

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L21/2254 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。

公开(公告)号：CN101164173A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680013914.5

申请日：2006-04-07

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 大塚宽之 ,  石川直挥 ,  高桥正俊

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/223 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池，该制造方法是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在第一导电型半导体基板上，涂布含有掺杂剂的第一涂布剂，然后同时形成一第一扩散层以及一第二扩散层；该第一扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第一涂布剂的涂布区域；该第二扩散层是利用气相扩散以连接第一扩散层的方式而形成，其导电率低于该第一扩散层。由此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，而能够提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池，可以简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。