电子发射元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101017755A

    公开(公告)日:2007-08-15

    申请号:CN200710008081.X

    申请日:2007-02-09

    Inventor: 村上俊介

    CPC classification number: H01J9/025

    Abstract: 一种电子发射元件的制造方法,该电子发射元件具有阴极和位于该阴极上的包含金属的电子发射层,其特征在于,所述制造方法包括:(A)制备导电性的第一层、位于该第一层上的第二层、与第二层接触的含有金属的第三层的第一步骤;(B)使所述金属从所述第三层扩散到所述第二层的第二步骤。其目的在于,提供一种能简易制成的、能比较容易地控制电子发射膜中的金属量的、与电子发射膜接触的电极和电子发射膜的紧贴性良好的电子发射元件的制造方法。

    在增材制备方法中使用的粉末和使用其制备陶瓷制品的方法

    公开(公告)号:CN117120229A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202280027270.4

    申请日:2022-04-08

    Abstract: 氧化物的粉末,其使用在用于照射激光光而造形的增材制备方法中,该粉末包括一氧化硅(SiO)颗粒和除了SiO的至少一种类型的氧化物颗粒,其中作为除了SiO的氧化物颗粒,至少一种类型选自包括氧化铝(Al2O3)颗粒、二氧化硅(SiO2)颗粒和Al2O3和SiO2的化合物颗粒的组,使得除了SiO颗粒之外的粉末包括硅和铝作为元素,并且其中在除了SiO颗粒之外的粉末的组分转化成由Al2O3和SiO2表示的氧化物的情况下,在粉末全体中分别表示Al2O3、SiO2和SiO的质量分数的x、y和z满足以下关系:20≤x

    压电材料
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104584247B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201380044054.1

    申请日:2013-08-16

    Abstract: 本发明提供压电材料,其不含铅和钾,具有令人满意的绝缘性能和压电性,并且具有高居里温度。该压电材料包括由下述通式(1)表示的钙钛矿型金属氧化物:通式(1)(NaxM1‑y)(Zrz(Nb1‑wTaw)y(Ti1‑vSnv)(1‑y‑z))O3,其中M表示Ba、Sr和Ca的至少任一种,并且满足0.80≤x≤0.95、0.85≤y≤0.95、0

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