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公开(公告)号：CN111374687A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911375136.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
Abstract: 本发明提供放射线摄像装置、放射线摄像系统、控制方法和存储介质。所述放射线摄像装置包括：摄像区域，其包括被构造为将放射线转换为电信号的多个转换元件；检测元件，其设置在所述摄像区域中并被构造为检测放射线；读取单元，其被构造为读取所述转换元件和所述检测元件的信号；以及控制单元，其被构造为，通过基于在拍摄放射线图像时的摄像条件从第一控制方法和第二控制方法中选择的控制方法，来执行在拍摄放射线图像时的放射线曝光量控制，所述第一控制方法基于在放射线照射期间由所述读取单元读取的所述检测元件的读取结果来控制曝光量，所述第二控制方法基于放射线图像的像素值来控制曝光量，所述放射线图像基于多个转换元件的信号。
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公开(公告)号：CN105997109A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610157723.1
申请日：2016-03-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: A61B6/463 , A61B6/4233 , A61B6/4291 , A61B6/465 , A61B6/5241 , A61B6/587 , A61B6/4266 , A61B6/5205
Abstract: 本发明提供一种放射线摄像系统及放射线摄影系统。在基于多个图像信号获得被摄体的放射线图像的放射线摄像系统中，该放射线摄像系统包括放射线摄像装置，该放射线摄像装置包括以二维矩阵布置的多个像素并且被构造为将透过被摄体的照射的放射线转换成用作被摄体的部分图像的图像信号。在放射线摄像系统中，用于保持放射线摄像装置的保持单元以在与布置有获得多个部分图像的位置的方向交叉的方向上能移动的方式保持放射线摄像装置。
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公开(公告)号：CN102386192B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201110242163.7
申请日：2011-08-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/13
Abstract: 本发明涉及制造光学传感器的方法、光学传感器和包括其的照相机。所述制造光学传感器的方法包括：设置包含多个像素区域的半导体晶片；设置包含光透射晶片的光透射基板，其中所述光透射晶片上附接有多个光透射部件，所述多个光透射部件被布置在所述光透射晶片的第一主表面上，并且所述多个光透射部件中的每一个的α射线发射量小于或等于0.05c/cm2·h；通过固定部件将所述光透射基板固定到所述半导体晶片上；以及将被固定在一起的半导体晶片和光透射基板分成单独的件。
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公开(公告)号：CN103855176A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310641703.8
申请日：2013-12-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L27/14676 , H01L27/14692
Abstract: 本公开涉及一种检测装置和放射线检测系统，该检测装置包括：被配置为将入射光或放射线转换成电荷的转换层；被配置为收集作为转换层的转换的结果而产生的电荷的电极；以及被布置在电极与转换层之间的杂质半导体层。所述转换层被布置在电极之上以便覆盖电极。转换层的覆盖相邻的一对电极之间的区域的部分包括膜厚比转换层的覆盖电极的边缘的部分小的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102386192A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110242163.7
申请日：2011-08-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/13
Abstract: 本发明涉及制造光学传感器的方法、光学传感器和包括其的照相机。所述制造光学传感器的方法包括：设置包含多个像素区域的半导体晶片；设置包含光透射晶片的光透射基板，其中所述光透射晶片上附接有多个光透射部件，所述多个光透射部件被布置在所述光透射晶片的第一主表面上，并且所述多个光透射部件中的每一个的α射线发射量小于或等于0.05c/cm2·h；通过固定部件将所述光透射基板固定到所述半导体晶片上；以及将被固定在一起的半导体晶片和光透射基板分成单独的件。
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公开(公告)号：CN100389478C
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN03178616.2
申请日：2003-07-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 一种叠层体形成方法是，以具有：在基体上边形成中间层的第1工序；和在所述中间层上边形成与所述基体的粘附力比所述中间层小且反射率比所述中间层大的金属层的第2工序，所述第2工序的途中增加所述金属层的形成速度为特征。由此，提供具有良好特性，即使在高温下、潮湿下、或连续长时间使用下等也有优良的反射特性和粘附性的叠层体的形成方法和光电器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN1317773C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200410038646.5
申请日：2004-05-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L31/02366 , H01L31/076 , H01L31/1884 , Y02E10/548
Abstract: 本发明涉及一种叠层型光电器件，该光电器件叠置多层具有pin结构的单位元件、在该层叠的单位元件的光入射侧的面上具有透明电极，设置于上述光入射侧的透明电极是由氧化铟锡(ITO)构成的，在上述多个单位元件之中，通过光收集效率测定的电流最小的单位元件中该透明电极的最大吸收波长的光的透射率大于等于90%、小于等于99.8%，并且电阻大于等于50Ω/□小于等于300Ω/□。利用这种结构，可以实现光电转换效率良好、成本低廉并且可靠性高的叠层型光电元件。
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公开(公告)号：CN112438746B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202010870422.X
申请日：2020-08-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
Abstract: 本发明公开了放射线成像装置的控制装置和控制方法及放射线成像系统。提供了一种放射线成像装置的控制装置，该放射线成像装置被配置成生成多个放射线图像以发送到外部装置。控制装置包括：取得单元，该取得单元被配置成取得所述多个放射线图像的生成周期，放射线成像装置读出所述多个放射线图像中的一个放射线图像中的感兴趣区域所需的部分读出时间，以及发送所述一个放射线图像所需的估计的发送时间。控制装置还包括确定单元，该确定单元被配置成基于生成周期、部分读出时间和发送时间来确定放射线成像装置开始发送所述多个放射线图像的时间。
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