-
公开(公告)号：CN102598160B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201080049929.3
申请日：2010-11-05
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供通过低于300℃的低温加热，具有优异的透明性、导电性、膜强度、电阻稳定性的透明导电膜及其制造方法，所述制造方法包含：通过在基板上形成含有有机金属化合物的涂布膜的涂布工序、该涂布膜的干燥工序、由干燥涂布膜形成无机膜的加热能量线照射工序、对该无机膜进行等离子体处理的等离子体处理工序；加热能量线照射工序为在含氧气氛下一边加热至低于300℃一边进行能量线照射来形成无机膜的工序，等离子体处理工序为将该无机膜在非氧化性气体气氛下且在低于300℃的基板温度下进行等离子体处理，促进膜的无机化或者结晶化来形成致密地填充有以金属氧化物作为主要成分的导电性氧化物微粒的导电性氧化物微粒层的工序。
-
公开(公告)号：CN102598160A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049929.3
申请日：2010-11-05
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供透明导电膜及其制造方法，所述透明导电膜使用作为透明导电膜的制造方法的涂布法，且通过低于300℃的低温加热，具有优异的透明性、导电性、膜强度、电阻稳定性。所述透明导电膜的制造方法包含：通过在基板上形成含有有机金属化合物的涂布膜的涂布工序、该涂布膜的干燥工序、由干燥涂布膜形成无机膜的加热能量线照射工序、对该无机膜进行等离子体处理的等离子体处理工序；加热能量线照射工序为在含氧气氛下一边加热至低于300℃一边进行能量线照射来形成无机膜的工序，等离子体处理工序为将该无机膜在非氧化性气体气氛下且在低于300℃的基板温度下进行等离子体处理，促进膜的无机化或者结晶化来形成致密地填充有以金属氧化物作为主要成分的导电性氧化物微粒的导电性氧化物微粒层的工序。
-
Search Results
12
records
(took 0.029 seconds)
