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公开(公告)号:CN110997572A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201880051002.X
申请日:2018-07-25
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C01G41/00 , C08K3/24 , C08L101/12 , C09K3/00 , G02B5/12
Abstract: 本发明提供一种电磁波吸收颗粒,其包含具有氧缺陷的六方晶体的钨青铜,上述钨青铜由通式:MxWO3-y(在此,元素M包括从至少K、Rb、及Cs中选出的1种以上,0.15≦x≦0.33,并且0<y≦0.46)表示,氧空位浓度NV为4.3×1014cm-3以上且8.0×1021cm-3以下。
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公开(公告)号:CN110520500A
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201780084990.3
申请日:2017-11-22
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种可见光透射性良好、热线屏蔽效果优异且具有稳定耐候性的热线屏蔽微粒、使用该热线屏蔽微粒的热线屏蔽微粒分散液、热线屏蔽膜用涂布液、以及使用它们得到的热线屏蔽膜、热线屏蔽树脂膜、热线屏蔽微粒分散体。本发明提供一种热线屏蔽微粒、以及使用该微粒的热线屏蔽微粒分散液、热线屏蔽膜用涂布液、以及使用它们的热线屏蔽膜、热线屏蔽树脂膜、热线屏蔽微粒分散体,所述热线屏蔽微粒含有由通式CaxLa1-xBm表示的钙镧硼化物微粒的热线屏蔽微粒,所述钙镧硼化物微粒的微粒形状是从以下中选择的至少一种形状:(1)使用X射线小角度散射法得到的直线的斜率值为Ve-3.8≤Ve≤-1.5;(2)平板状圆柱形状或扁平椭圆体形状,且长宽比d/h值为1.5≤d/h≤20。
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公开(公告)号:CN116323199A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202180069767.8
申请日:2021-10-13
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: B32B27/18
Abstract: 提供一种包含铯钨酸盐的近红外线吸收粒子,上述铯钨酸盐具有调制成选自斜方晶、菱面体晶和立方晶中的1种以上的假六方晶的晶体结构,上述铯钨酸盐由通式CsxWyOz表示,在将Cs、W、O作为各顶点的3元组成图中,具有被x=0.6y、z=2.5y、y=5x和Cs2O:WO3=m:n(m、n为整数)的4根直线所包围的区域内的组成。
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公开(公告)号:CN115943124A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202180051461.X
申请日:2021-08-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C01G41/00
Abstract: 提供一种近红外线遮蔽膜,其由通式CsxWyOz(4.8≤x≤14.6,20.0≤y≤26.7,62.2≤z≤71.4,x+y+z=100)所示的铯复合钨氧化物的连续膜构成,上述连续膜包含选自斜方晶、菱面体晶和六方晶中的1种以上。
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公开(公告)号:CN111093990A
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201880060091.4
申请日:2018-09-14
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供:使用了可见光透射性高同时具有优异的日照屏蔽特性、具有耐侯性的日照屏蔽微粒,而具有较高的可见光透射性和日照屏蔽特性、较低的雾度值,并且环境稳定性高、生产成本便宜的日照屏蔽用夹层结构体。本发明提供一种日照屏蔽微粒分散体,其是:将具有选自包含日照屏蔽微粒的树脂片、包含日照屏蔽微粒的树脂膜中的1种以上作为中间膜的中间层,夹入选自不含日照屏蔽微粒的平板玻璃、不含日照屏蔽微粒的树脂板中的2个夹层板间而得到的日照屏蔽用夹层结构体,其中,所述日照屏蔽微粒是含有通式CaxLa1-xBm表示的钙镧硼化物微粒的日照屏蔽微粒,所述通式中的x的值为0.001≤x≤0.800,并且,m的值为5.0≤m
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公开(公告)号:CN108884375A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780019494.X
申请日:2017-03-28
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 提供一种红外线吸收材料,其包含1种以上的过渡金属以及该过渡金属的配体,配体是从B、C、N、O等中选择的1种以上的元素,在导带下部形成导带下部带,导带下部带是过渡金属的d轨道所占有的带,或是过渡金属的d轨道与配位子的p轨道混成的带,在价带上部形成价带上部带,价带上部带是配位子的p轨道所占有的带,或是配位子的p轨道与过渡金属的d轨道混成的带,在作为布里渊区的高对称点的二波数以下的方向上,导带下部带与价带上部带接近到小于3.0eV,且,在除了导带下部带与价带上部带接近到小于3.0eV的波数方向之外的其他波数方向上,具有能带隙为3.0eV以上的宽带隙能带结构,等离子体频率为2.5eV以上10.0eV以下。
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