In-Ce-O系溅镀靶材及其制造方法

    公开(公告)号:CN105283578B

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201480033152.X

    申请日:2014-03-25

    Inventor: 佐藤启一

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种In‑Ce‑O系溅镀靶材及其制造方法,上述In‑Ce‑O系溅镀靶材尽管包含可获得高折射率膜的以Ce/(In+Ce)原子比计为O.16~0.40的Ce,也可长时间地抑制结核或异常放电的产生。所述溅镀靶材是包含以氧化铟为主成分且含有铈的In‑Ce‑O系氧化物烧结体,且在制造折射率为2.1以上的透明导电膜时使用的In‑Ce‑O系溅镀靶材,上述溅镀靶材中Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16~0.40,且粒径5μm以下的氧化铈粒子分散于上述In‑Ce‑O系氧化物烧结体中。

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