公开(公告)号：CN101807522A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010125298.0

申请日：2008-05-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  有持佑之 ,  御友重吾 ,  风田川统之 ,  日野智公

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/16 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/48465

Abstract: 本发明公开半导体层生长方法及半导体发光元件制造方法。在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-102)面上生长具有(11-20)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤，使得至少一个面向外，该面选自(11-22)面、(0001)面、(000-1)面、(33-62)面和(1-100)面。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法。