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公开(公告)号：CN1235367A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN99101731.5
申请日：1999-01-29
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C30B25/105 , C23C16/24 , C23C16/402 , C23C16/54 , C30B29/06
Abstract: 一种成膜设备,包括用于在基片上形成结晶硅薄膜的形成硅薄膜的真空室;为该真空室而装备的成膜装置,以在所述基片的目标表面上形成结晶硅薄膜的预制膜;以及为该真空室而装备的能量束辐照装置,以便用能量束辐照所述预制膜使之结晶。该成膜设备制得的结晶硅薄膜作为TFT等的半导体薄膜具有良好的质量和良好的生产率。
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