变压装置
    12.
    实用新型

    公开(公告)号:CN204316337U

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201420521538.2

    申请日:2014-09-11

    CPC classification number: H02M5/12 H02M3/06 H02M5/06 H02M5/293

    Abstract: 一种变压装置,设置在电源和负载之间,包括分别具有进行使相对于输入的输出的极性交替反转的开关动作的功能的前级电路以及后级电路,所述变压装置包括:串联体,设置在前级电路以及后级电路中的至少一方,将一对电抗元件在连接点中相互串联连接而成;以及开关装置,在将串联体的两端设为第一端口的情况下,使串联体的一端和连接点之间以及串联体的另一端和连接点之间通过开关动作而交替且反转极性而设为第二端口,执行从第一端口到第二端口的电力的传输以及从第二端口到第一端口的电力的传输中的任一个。

    横向结型场效应晶体管
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100370626C

    公开(公告)日:2008-02-20

    申请号:CN200410075244.2

    申请日:2000-12-06

    CPC classification number: H01L29/7722 H01L29/1608 H01L29/808 H01L29/8083

    Abstract: 一种SiC制的横向JFET,它使用n型SiC衬底,包括具有迁移率高的载流子的沟道区,成品率高。该横向JFET包括:n型SiC衬底(1n);p型SiC膜(2),被形成在n型SiC衬底的正面上;n型SiC膜(3),被形成在p型SiC膜上,包含沟道区(11);源区、漏区(22,23),被分别形成在该n型SiC膜上的、沟道区的两侧;以及栅极(14),与n型SiC衬底相接来设置。

    横向结型场效应晶体管
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1577896A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410075244.2

    申请日:2000-12-06

    CPC classification number: H01L29/7722 H01L29/1608 H01L29/808 H01L29/8083

    Abstract: 一种SiC制的横向JFET,它使用n型SiC衬底,包括具有迁移率高的载流子的沟道区,成品率高。该横向JFET包括:n型SiC衬底(1n);p型SiC膜(2),被形成在n型SiC衬底的正面上;n型SiC膜(3),被形成在p型SiC膜上,包含沟道区(11);源区、漏区(22,23),被分别形成在该n型SiC膜上的、沟道区的两侧;以及栅极(14),与n型SiC衬底相接来设置。

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