半导体发光装置的制造方法

    公开(公告)号:CN106030838B

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201580008403.3

    申请日:2015-02-06

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法,其是包含基板、元件和密封材料作为构成构件的半导体发光装置的制造方法,该制造方法包括:第一工序,在基板上设置元件;第二工序,以覆盖元件的方式在基板上灌封选自加成聚合型密封材料及缩聚型密封材料中的至少一种固化前的密封材料(i);第三工序,使所灌封的固化前的密封材料(i)固化;和第四工序,在覆盖了元件的固化后的密封材料(i)上灌封固化前的缩聚型密封材料(ii),使所灌封的固化前的缩聚型密封材料(ii)固化,由此层叠密封材料。本发明还提供利用该制造方法制造的半导体发光装置,其为层叠2层以上的密封材料而成的半导体发光装置。

    半导体发光装置的制造方法

    公开(公告)号:CN105940511B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201580005558.1

    申请日:2015-01-20

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法,其中,所述半导体发光装置包含基板、元件和密封材料作为构成构件,该制造方法包括:第一工序,在基板上设置元件;第二工序,以覆盖元件的方式在基板上灌封固化前的密封材料;和第三工序,以下述方式使所灌封的密封材料固化,即,在将固化后的厚度t[mm]的密封材料所具有的380nm、316nm及260nm各波长下的吸光度分别设为AbsA(t)、AbsB(t)及AbsC(t)并且将380nm下的光的透射率设为T(t)时,满足下述式(1)、(2)及(3)的全部。(1)T(1.7)≥90% (2)AbsB(t)-AbsA(t)<0.011t (3)AbsC(t)-AbsA(t)<0.125t。

    有机硅树脂组合物及半导体发光元件用封装材料

    公开(公告)号:CN108368341A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201680074185.8

    申请日:2016-12-14

    CPC classification number: C08G77/14 C08K13/08 C08L83/04 H01L23/29 H01L23/31

    Abstract: 本发明提供对于制造UV稳定性高的有机硅树脂组合物的固化物而言有用的有机硅树脂组合物。本发明的有机硅树脂组合物为包含至少一种有机硅树脂的有机硅树脂组合物,其满足下述(i)~(iii)的要件。(i)含有的硅原子实质上由A1硅原子及/或A2硅原子、和A3硅原子组成,相对于A1硅原子~A3硅原子的总含量而言,A3硅原子的含量的比例为50摩尔%以上99摩尔%以下。(ii)与前述硅原子键合的侧链为烷基、烷氧基或羟基,烷氧基的摩尔比相对于烷基100而言低于5,羟基的摩尔比相对于烷基100而言为10以上。(iii)实质上不含金属催化剂,并且,含有不含金属的固化用催化剂,组合物中的固化用催化剂的浓度为600ppm以下。

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