GaN芯片负压控制电路及设备

    公开(公告)号:CN108964425A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810724211.8

    申请日:2018-07-04

    Abstract: 本发明涉及一种GaN芯片负压控制电路及设备。GaN芯片负压控制电路包括比较器电路,漏压关断电路,以及正极分别用于接入负压信号、连接GaN芯片的栅压管脚的二极管;比较器电路包括第一比较器和第二比较器;第一比较器的输出端连接二极管的负极,输入端连接TDD信号端;第二比较器的输入端接入负压信号;漏压关断电路的输入端连接第二比较器的输出端,输出端连接GaN芯片的漏极。基于上述结构,解决GaN芯片的供电时序控制问题,保证栅压开启到芯片工作电压后,漏压才开启,有效保证芯片的正常工作。在不关断漏压的情况下,通过比较器实现由高低电平信号控制栅压从负压到工作电压之间的切换,实现TDD模式下GaN芯片的正常工作。

    GaN HEMT偏置电路
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105048969B

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201510416630.1

    申请日:2015-07-15

    CPC classification number: H03F1/02 H03F3/45

    Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT偏置电路,包括第一接地电容组、第一变压器、第二变压器、漏压开关和栅压产生与控制电路,第一接地电容组、第一变压器的输入端、漏压开关的第一输入端与外部电压输入端连接,第二变压器的输入端、栅压产生与控制电路的第一输入端与第一变压器的输出端连接,第二变压器的输出端与栅压产生与控制电路的第二输入端连接,漏压开关的输出端与GaN HEMT的漏极、栅压产生与控制电路的第三输入端连接,漏压开关的第二输入端与栅压产生与控制电路的第一输出端连接,栅压产生与控制电路的第二输出端、第四输入端与GaN HEMT的栅极连接。本发明实现了GaN HEMT电路的自动上、掉电功能,避免了GaN HEMT被大电流烧毁,保障了使用GaN HEMT的无线通信设备正常工作。

    一体化下行系统及其处理方法

    公开(公告)号:CN104052696B

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201410247298.6

    申请日:2014-06-05

    Abstract: 本发明提供一种一体化下行系统及其处理方法,该系统包括依次连接的选频电路、射频预失真电路、功率放大电路和异频合成电路;功率放大电路包括功放单元、耦合单元和隔离单元;功放单元包括Doherty功率放大器;选频电路从输入信号中筛选出各个频段的信号;射频预失真电路分别对筛选出的各个频段的信号和耦合单元产生的耦合信号进行预失真处理;预失真处理后的信号经过功放单元进行功率放大,再顺次通过耦合单元和隔离单元传输至异频合成电路进行合路处理。本发明结合了预失真技术和高效率Doherty功放技术,实现了系统的高线性性能、较宽的瞬时带宽,提高了系统效率;采用一体化的设计,散热良好、成本低,满足了现代通信设备的需求。

    功率放大系统及其处理方法

    公开(公告)号:CN104393844B

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201410587437.X

    申请日:2014-10-27

    Abstract: 本发明提供一种功率放大系统及其处理方法,该系统包括依次连接的信号筛选电路、射频预失真电路、合路电路、Doherty功率放大电路、耦合电路以及反馈选频电路,所述射频预失真电路与所述反馈选频电路连接。本发明的功放系统可支持n(n=2,3,4,……)种频段,带宽宽,体积小、成本低,易于实现。采用射频预失真(RFPD)技术以及多频宽带Doherty技术,实现了系统的高线性性能、高效率性能,而且该功率放大系统无须采用任何宽带A/D、D/A等器件,避免了受限器件的困扰。

    一种射频负载输出调整方法、设备和系统

    公开(公告)号:CN102832889B

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201210282869.0

    申请日:2012-08-09

    Abstract: 本发明公开了一种射频负载输出调整方法、设备和系统,其主要内容包括:通过接收反射回的射频输出信号,避免了该射频输出信号直接反射回通信系统,给通信系统中的器件造成的损坏;并根据设定的信号功率值与电压值之间的对应关系,确定所述射频输出信号的功率值对应的电压值,利用确定的电压值与参考电压值进行运算,得到调整电压值,以及利用该调整电压值对输入的射频信号进行调整,这样根据反射回的射频输出信号的功率值对射频输入信号的功率进行调整,避免了由于射频输入信号的功率不可控,导致的放大输出的射频信号功率过大,反射回通信系统引起的系统内器件被损坏的情况,提高了整个发射系统的稳定性。

    射频电路功率放大器保护装置及发射机

    公开(公告)号:CN103457548A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201210180161.4

    申请日:2012-06-01

    Abstract: 本发明提供一种射频电路功率放大器保护装置,包括:射频衰减电路,用于根据输入的衰减电平信号对下行信号的平均功率进行衰减;峰值限幅电路,用于根据输入的限幅门限值对下行信号的信号峰值进行限制;功率检测电路,用于检测功率放大器的工作功率并将其转换为反馈电平信号输出至控制电路;控制电路,用于输出限幅门限值至峰值限幅电路,将反馈电平信号与预设的参数值进行比较,并根据比较的结果输出衰减电平信号至射频衰减电路。本发明还提供一种发射机,通过本发明的技术,保证进入功率放大器的下行信号处于可承受范围内,切实保护了功率放大器的安全,适用于所有的通信射频链路,特别是针对数字与射频相结合的大功率功放中,有良好的应用前景。

    一种微波功率源、治疗设备及微波信号生成方法

    公开(公告)号:CN109091760B

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN201810619528.5

    申请日:2018-06-12

    Abstract: 本发明提供一种微波功率源、治疗设备及微波信号生成方法。其中,微波功率源包括依次连接的频率综合器、衰减器和射频放大模块,且频率综合器、衰减器还分别与微处理器控制单元连接。频率综合器根据微处理器控制单元发送的设定频率信号产生微波信号,该微波信号经衰减器进行功率衰减后,经射频放大模块进行信号放大后输出。从而通过微处理器控制单元发送设定频率信号,频率综合器可以产生设定频率的微波信号,相对于现有技术,实现了微波功率源发射的微波信号频率的精确可控。同时通过微处理器控制单元发送衰减量控制信号,衰减器可以对微波信号的功率进行精确调节,相对于现有技术,还实现了微波功率源发射的微波信号功率的精确可控。

    GaN HEMT漏极控制电路及设备

    公开(公告)号:CN109768789A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201811619641.X

    申请日:2018-12-28

    Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。GaN HEMT漏极控制电路,包括:漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管。漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源,第二输入端用于接入漏压控制信号,第一输出端连接第一N型MOS管的栅极,第二输出端连接第一N型MOS管的漏极,第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极;第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。基于上述结构,漏压开关驱动电路接收漏压控制信号,输出驱动信号给第一N型MOS管的栅极,控制第一N型MOS管漏源两极的通断;利用第一N型MOS管来控制GaN HEMT漏压的开与关,能够实现漏压开关的高速切换,同时,可降低漏极电源开关的损耗以及电路成本,提高电路的可靠性和效率。

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