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公开(公告)号：CN116841133A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311098580.8
申请日：2023-08-29
Applicant: 之江实验室
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种光子引线的制备方法。该本申请的一个方面提供一种光子引线的制备方法。该制备方法包括：将待耦合光学器件置于载物位移台上并进行固定；在待耦合光学器件间填充光刻胶；利用三维光刻技术控制激光写头发出的激光焦点的运动路径以对光刻胶进行曝光改性，其中，控制激光焦点的扫描路径包括：将预形成的光子引线按照预形成的实际结构划分为n条曲线，曲线的路径与预定的光束传播路径相同；及控制激光焦点以n条曲线中每一条曲线的路径为每一次的运动路径进行扫描；以及用显影液对被改性的光刻胶进行显影，以形成光子引线。本申请能够实现光在不同待耦合光学器件之间稳定的模场传输。
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公开(公告)号：CN119804391A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411934229.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及一种片上光热气体传感器和片上气体传感器组件。所述片上光热气体传感器将具有马赫曾德尔干涉结构的光热气体传感器集成到了片上，相比于传统的自由空间和光纤传感中的光热干涉法而言，因探测臂和参考臂均处于同一衬底之上，外界震动对干涉结构的影响远远小于光纤传感系统。而且，无需额外的相位控制单元，如PZT、AOM等，简化了检测系统，为整个传感检测系统的小型化创造了可能性。同时，探测臂脊形波导层的上波导材料层的折射率大于下波导材料层的折射率，能够同时支持TM模式的泵浦光和TE模式的探测光。极大的提高了泵浦光与待测气体的相互作用，并降低了泵浦光的光斑尺寸，在保证高灵敏度的同时极大的缩短了探测波导的长度。
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公开(公告)号：CN118657183A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410769113.1
申请日：2024-06-14
Applicant: 之江实验室 , 香港科技大学(广州)
IPC: G06N3/067 , G06N3/0499 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种光学衍射神经网络系统。为实现低功耗、高推理速度的光计算系统，本发明的光学衍射神经网络系统，包括激光器、DMD、SLM和事件相机，所述激光器发射光线至DMD，并通过光路系统将光传播至SLM；光线经过SLM衍射后，并通过事件相机感光接收；所述事件相机根据入射光线变化情况，生成脉冲事件。本发明具有低功耗、低延迟、高正确率优点，且能容许系统误差。本发明适于光计算领域。
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公开(公告)号：CN118151418B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410568387.4
申请日：2024-05-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 一种宽带的薄膜铌酸锂偏振无关电光调制器和调制方法，其调制器工作波长覆盖O波段~L波段，由第一偏振无关分束器、电光移相器阵列、第二偏振无关分束器组成，其中偏振无关分束器包括输入波导、模式转化器、TE1分束器、锥形波导、TE0分束器和输送波导，皆具有宽带特性；电光移相器阵列包括4根直波导和1组GSGSG行波电极；当输入TM0时，其在第一偏振无关分束器的模式转化器中转为TE1，并经TE1分束器分为2束TE0，经外侧两个电光移相器调制后，经第二偏振无关分束器干涉并转化为TM0输出；当输入TE0时，模式保持不变，经内侧两个电光移相器调制后干涉输出。
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公开(公告)号：CN116859510B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311116451.7
申请日：2023-08-31
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种波导阵列结构及其光场调控方法。波导阵列结构用于片上光学波前整形。波导阵列结构包括至少一级波导阵列，波导阵列包括自下向上依次叠层设置的衬底层、缓冲层、波导层及覆盖层，波导层包括多根间隔设置的波导。波导阵列中光学模式沿其光传输方向的有效折射率的调控参数满足有效折射率分布函数，及相邻两根波导的中心间距参数满足中心间距分布函数，光经过至少一个波导阵列后其光学波前被整形。如此实现片上光学波前整形功能，对于片上光信号处理，尤其是高集成密度、多光学通道的应用场景，具有重要应用价值，且能实现片上光场聚焦、衍射、无衍射传输以及光场调控等功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117334761A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311585374.X
申请日：2023-11-27
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/0232 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种反射型锗硅雪崩光电探测器，包括入射光波导、有源区和反射器；其中，所述入射光波导为脊形硅波导，所述有源区的硅波导由依次排列的P型重掺杂区、P型掺杂区、本征区、N型掺杂区和N型重掺杂区组成；所述有源区还包含金属电极和锗吸收层；金属电极分别与P型重掺杂区和N型重掺杂区接触形成P电极和N电极，所述锗吸收层为本征锗，位于硅波导中间脊形区的上方，并下沉进入脊形区内部以获取更高的吸收效率；所述反射器包括锥形波导、多模干涉器和环形波导，可以将未完全吸收的入射光反射回有源区。本发明的锗硅雪崩光电探测器具有响应度高，暗电流小，工艺简单，利于大规模集成等优点。
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公开(公告)号：CN116859510A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311116451.7
申请日：2023-08-31
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种波导阵列结构及其光场调控方法。波导阵列结构用于片上光学波前整形。波导阵列结构包括至少一级波导阵列，波导阵列包括自下向上依次叠层设置的衬底层、缓冲层、波导层及覆盖层，波导层包括多根间隔设置的波导。波导阵列中光学模式沿其光传输方向的有效折射率的调控参数满足有效折射率分布函数，及相邻两根波导的中心间距参数满足中心间距分布函数，光经过至少一个波导阵列后其光学波前被整形。如此实现片上光学波前整形功能，对于片上光信号处理，尤其是高集成密度、多光学通道的应用场景，具有重要应用价值，且能实现片上光场聚焦、衍射、无衍射传输以及光场调控等功能。
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公开(公告)号：CN118939077A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411040291.7
申请日：2024-07-31
Applicant: 之江实验室
IPC: G06E3/00
Abstract: 本发明公开一种光子并行矩阵乘法运算芯片及其应用系统；光子并行矩阵乘法运算芯片由功分器、调制器阵列、循环阵列波导光栅、微环阵列、探测器阵列一体化集成。具体工作中，首先将包含N个波长的多波长光载波信号分为N路后，通过调制器阵列中的N个调制器将第一矩阵信号按列分别加载到多波长光载波上，循环阵列波导光栅实现不同波长信号的循环路由分配；继而，通过微环阵列的N个微环单元将第二矩阵信号按列分别加载到光信号上；最后，通过N个探测器对微环阵列输出光信号光电转换得到电输出信号；电输出信号采集后根据映射关系在电域进行重组，得到两个矩阵的乘法运算结果。本发明主要功能器件单片集成，系统紧凑，可有效降低系统复杂度、功耗。
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公开(公告)号：CN117555168B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410031738.8
申请日：2024-01-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及片上集成磁光隔离器，其中，片上集成磁光隔离器包括：入射波导阵列，用于输入至少一个波长的光；与所述入射波导阵列连接的磁光隔离器，用于实现光的正向传输反向隔离；所述磁光隔离器包括阵列波导光栅、磁光薄膜以及磁场施加装置；其中，所述磁光薄膜在所述阵列波导光栅表面，所述至少一个波长的光在所述阵列波导光栅中传播，所述磁场施加装置用于施加与所述阵列波导光栅的光传输方向垂直的磁场；与所述磁光隔离器连接的出射波导阵列，用于输出所述至少一个波长的光，具有对光波的正向传输，反向隔离的功能，能够满足波长范围高达百纳米的链路应用，提高光的隔离效果，从而实现对激光器的保护作用。
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公开(公告)号：CN117250690B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311532685.X
申请日：2023-11-17
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供了一种片上波导集成的光场聚焦方法与装置。所述装置包括：基底、矩形波导模块、环形波导模块和光栅模块；所述基底表面刻蚀所述矩形波导模块和所述环形波导模块；所述矩形波导模块，用于传导激光，将所述激光分为多路激光；所述环形波导模块，用于接收所述多路激光，将所述多路激光衍射为环形光场；所述光栅模块，用于响应于所述环形光场，通过所述光栅模块中的圆形光栅阵列，将所述环形光场衍射，成为衍射光场，最终所述衍射光场聚焦。采用本方法和装置，克服了现有光场聚焦方案不易于片上大规模集成的缺点。并兼容现有的硅光生产工艺，减小体积以及尺寸，降低成本，实现量产，同时具有更大的焦距选择范围。
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