公开(公告)号：CN100449778C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200580024082.2

申请日：2005-06-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 田中宏明 ,  河路佐智子

IPC: H01L29/739

Abstract: 一种半导体器件，具有集电极、集电极上形成的p+集电极区(22)、集电极区上形成的n-漂移区(24)、漂移区上形成的p-体区(26)、以及体区中形成的多个n+发射极区(28)。发射极区连接到发射极。多个沟槽栅极(32)形成于体区中。每个沟槽栅极通过绝缘层(34)与将漂移区和发射极区隔开的那部分体区相对。体区被分为多个体区段，这些体区段被划分为两组。一组(26a)在体区段中带有发射极区，另一组(26b)在体区段中不带发射极区。多个第一沟槽(35a、35b、35c)形成于不带发射极区的体区段中。

公开(公告)号：CN1967869A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610165662.X

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38中的深的一方的深度的1/3以上。

公开(公告)号：CN1591897A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410074196.5

申请日：2004-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 堀田幸司 ,  河路佐智子 ,  杉山隆英 ,  庄司智幸 ,  石子雅康

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38)的重复区域(39)对向，上述重复区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。

公开(公告)号：CN1525575A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410007023.1

申请日：2004-02-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁克彦 ,  栉田知义 ,  河路佐智子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明旨在提供一种高耐电压场效应型半导体设备，其减弱在半导体衬底的电场同时不加厚漂移区的厚度，而且实现对于高电压的耐压性能，且不牺牲开启电压，开关关闭特性和小型化。场效应型半导体设备在一个表面(图2的上表面)上包括发射极区域100，104和栅极电极106等，并且在另一表面(图2的下表面)上包括集电极区域101等，其中在面对栅极电极106的P主体区域103和在P主体区域103下面的N漂移区102之间安置具有低的杂质浓度的N－场分散区域111。因此，减弱了在集电极和发射极之间的电场并且实现了高耐电压场效应型半导体设备。可以在N漂移区102和N漂移区102下面的P+集电极区域101之间安置另一个场分散区域。