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公开(公告)号：CN109412548B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201811516164.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本发明提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。
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公开(公告)号：CN113594348B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010367418.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种复合超导线及其制备方法与连接方法、一种连接超导线，属于超导电工技术领域。本发明通过高温热处理连接第二代高温超导线的银层，以此完整地将超导层从缓冲层上剥离。剥离后的超导线可再次镀银和重复剥离，从而制备多超导层的复合超导线。与超导层相邻的银层可作为快速的氧扩散通道，保证了复合超导线及其接头后期的超导性能恢复。进一步地，利用金属基带、缓冲层或较厚的银带为银层和超导层提供支撑或隔离，保证了复合超导线及其接头的机械性能。本发明的制备方法使复合超导线具有多层超导层，且具有较高的工程电流密度Je、成本低廉。同时，可以改善连接后的超导层的性能恢复，极大地提高超导接头的临界电流与制备效率。
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公开(公告)号：CN111533551A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010384586.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C04B35/45 , C04B35/624 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/80 , C23C18/12
Abstract: 本发明提供了一种YBCO超导薄膜及其制备方法，属于第二代高温超导带材领域。本发明通过采用三氟乙酸盐-金属有机沉积法制备含有纳米钛酸钡的YBCO超导薄膜，本发明在含有三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和三氟乙酸铜的前驱液中添加松油醇和乙酰丙酮钛，再经过低温热分解和高温烧结后，制备了含有纳米棒状钛酸钡的四方相YBCO膜，然后经过退火处理，再采用氢质子轰击，在YBCO超导薄膜前体内部产生非常均匀的纳米点，利用纳米棒状的钛酸钡与氢质子轰击产生的纳米点两种不同结构的纳米相的协同作用，提高了YBCO膜的临界电流密度。
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公开(公告)号：CN109412548A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811516164.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 郑州科之诚机床工具有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本发明提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。
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公开(公告)号：CN116288202A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310183408.6
申请日：2023-03-01
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种Mg3Sb2热电薄膜的制备方法，涉及热电材料技术领域。本发明采用直流和射频的共溅射在衬底上实现了高纯Mg3Sb2热电薄膜的制备。本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制备出了性能优异的Mg3Sb2薄膜，制得的薄膜结晶性很高，界面散射效应明显，相比块体Mg3Sb2材料，制备的Mg3Sb2热电薄膜的功率因数大幅提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113593767B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010365158.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导线的连接方法及一种连接超导线，属于超导电工技术领域。本发明通过高温热处理连接第二代高温超导线的银层，以此完整地将超导层从缓冲层上剥离。剥离后裸露的超导层一面可用于超导层的直接连接形成超导接头，而与其另一面相连的银层即可作为快速的氧扩散通道。其次，对于剥离后获得的超导线连接体，可利用金属基带、缓冲层或较厚的银带为银层和超导层提供支撑或隔离，保证了接头的机械性能。最后，对于采用银带剥离超导层可使得制备的接头表面为银，氧可直接透过银层表面进入超导层，极大地缩短接头的氧化退火时间，提高超导接头的制备效率。
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公开(公告)号：CN113130134B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110381404.X
申请日：2021-04-09
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明提供了一种动态沉积第二代高温超导带材的装置和方法，涉及镀膜工艺装备技术领域。本发明提供的装置包括动态卷绕系统和真空热处理炉；所述动态卷绕系统包括放卷装置、缠绕骨架和前驱液槽；所述放卷装置和缠绕骨架均连接有伺服电机；所述真空热处理炉包括真空炉腔和转动装置；所述真空炉腔的外壁设置有控温热电偶、进气口、抽气口、冷却水进口和冷却水出口，所述真空炉腔的内壁设置有加热线圈；所述转动装置的中心轴贯穿真空炉腔的中心。利用本发明提供的装置动态沉积第二代高温超导带材，通过化学溶液法连续浸涂和高温热处理能够制备出百米级的第二代高温超导带材，且得到的第二代高温超导带材表面平整、致密，电学性能良好。
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公开(公告)号：CN111533551B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010384586.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C04B35/45 , C04B35/624 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/80 , C23C18/12
Abstract: 本发明提供了一种YBCO超导薄膜及其制备方法，属于第二代高温超导带材领域。本发明通过采用三氟乙酸盐‑金属有机沉积法制备含有纳米钛酸钡的YBCO超导薄膜，本发明在含有三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和三氟乙酸铜的前驱液中添加松油醇和乙酰丙酮钛，再经过低温热分解和高温烧结后，制备了含有纳米棒状钛酸钡的四方相YBCO膜，然后经过退火处理，再采用氢质子轰击，在YBCO超导薄膜前体内部产生非常均匀的纳米点，利用纳米棒状的钛酸钡与氢质子轰击产生的纳米点两种不同结构的纳米相的协同作用，提高了YBCO膜的临界电流密度。
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公开(公告)号：CN111524653B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010365211.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导带材的连接方法及超导线，涉及超导电工领域。本发明的连接方法可以不破坏金属基带，同时又能提供氧扩散通道；最终得到的接头在液氮温区具备超导特性。具体的，本发明通过在超导层刻蚀出条纹状微槽提供大范围的氧扩散通道，缩短超导电性恢复时间；经过超导层熔融扩散可以使搭接的两个超导层界面的部分区域熔融并相互扩散紧密连接为一体，实现超导层之间的连接，使接头具备超导特性，形成超导接头。
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公开(公告)号：CN113594348A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010367418.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种复合超导线及其制备方法与连接方法、一种连接超导线，属于超导电工技术领域。本发明通过高温热处理连接第二代高温超导线的银层，以此完整地将超导层从缓冲层上剥离。剥离后的超导线可再次镀银和重复剥离，从而制备多超导层的复合超导线。与超导层相邻的银层可作为快速的氧扩散通道，保证了复合超导线及其接头后期的超导性能恢复。进一步地，利用金属基带、缓冲层或较厚的银带为银层和超导层提供支撑或隔离，保证了复合超导线及其接头的机械性能。本发明的制备方法使复合超导线具有多层超导层，且具有较高的工程电流密度Je、成本低廉。同时，可以改善连接后的超导层的性能恢复，极大地提高超导接头的临界电流与制备效率。
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