公开(公告)号：CN118398044A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410414207.7

申请日：2024-04-08

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 龚天成 ,  聂博文 ,  罗庆

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/04

Abstract: 本公开提供了一种铁电存储器及其控制方法、电子设备，该铁电存储器包括：存储阵列，由多个铁电存储单元按照阵列排布而成；温度传感器，用于感测存储阵列的实时环境温度，并将实时环境温度形成温度传感信号；计算单元，用于采集温度传感器的温度传感信号，并利用预设转换模型，将温度传感信号所对应的实时环境温度转化为操作电压信号；控制单元，用于接收操作电压信号，并根据操作电压信号调整存储阵列的操作脉冲幅值。本公开基于电荷去俘获的机理，在存储阵列中添加了温度传感器来感知环境温度，通过计算单元将采集到的温度传感信号所对应的环境温度转化为铁电存储单元的最佳操作电压信号，有效克服温度所导致的极化值降低问题。

公开(公告)号：CN109887532B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201910083189.8

申请日：2019-01-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 吕杭炳 ,  罗庆 ,  许晓欣 ,  龚天成 ,  刘明

IPC: G11C7/10

Abstract: 本公开提供一种融合型存储器的写入和擦除方法。其中写入方法包括中，融合性存储器包括多个存储单元，各存储单元块体衬底；衬底上方的源极、漏极和源极漏极之间延伸的沟道区，以及沟道区上堆叠的铁电层和栅极；其中，所述写入方法包括：在所述至少一个的存储单元的栅极和块体之间施加第一电压，所述第一电压小于所述铁电层发生极化翻转的翻转电压；所述源极和漏极分别为接地或者为浮置状态。本公开中，可以控制正向的第一电压实现数据的写入，与现有的DRAM比较，在85℃有1000秒以上的保持时间，速度与DRAM相当，保持特性大幅优于现有技术的DRAM。