公开(公告)号：CN116072718A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202111285549.6

申请日：2021-11-01

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 毕冲 ,  姜柏青 ,  王桂磊 ,  刘明

IPC: H01L29/66

Abstract: 本发明提供一种环栅自旋量子单元，包括：纳米线，由半导体材料形成；多个环形栅，沿所述纳米线间隔分布，所述环形栅由导电材料环绕所述纳米线形成；以使相邻两个环形栅之间的纳米线形成一个量子比特。本发明提供的环栅自旋量子单元，能够提供一种小尺寸的自旋量子单元，以使集成的用于量子计算的半导体器件尺寸降低，集成度提高。

公开(公告)号：CN111863060B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202010701234.4

申请日：2020-07-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 毕冲 ,  刘明

IPC: G11C11/16 ,  G11C11/22 ,  H10B61/00

Abstract: 本公开提供了一种缓存器件及制作方法，应用于缓存技术领域，包括：包括依次连接设置的第一场效应管、磁性隧道结、电极以及第二场效应管；第一场效应管，配置为提供写入电流，并通过栅极控制写入电流的通断；磁性隧道结包括依次设置的非铁磁层、第一铁磁层、隧穿层、第二铁磁层以及钉扎层；非铁磁层，配置为提供写入电流输入的横向通道；第一铁磁层，配置为基于类场自旋矩，产生可变的第一磁化方向；隧穿层，配置为位于第一铁磁层和第二铁磁层之间；第二铁磁层，配置为具有固定的第二磁化方向；钉扎层，配置为保持第二磁化方向；电极，配置为连接磁性隧道结与第二场效应管；第二场效应管，配置为通过栅极控制第二场效应管的通断，以读取阻态。

公开(公告)号：CN112035390A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010891913.2

申请日：2020-08-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 毕冲 ,  刘明

IPC: G06F13/40

Abstract: 本公开提供一种数据传输装置，应用于信息技术领域，包括：信号转换模块和信号传输模块；所述信号转换模块，用于在数据发射端，将包含数据信息的电信号转换为磁振子信号；所述信号传输模块，用于传输包含所述数据信息的磁振子信号给数据接收端；所述信号转换模块，还用于在数据接收端，将包含所述数据信息的磁振子信号转换为包含所述数据信息的电信号。本申请还公开了一种数据传输方法，利用磁振子信号进行数据传输，在数据传输的过程中无需任何电压或电流。

公开(公告)号：CN115996627A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202111206784.X

申请日：2021-10-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 毕冲 ,  娄凯华 ,  刘明

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H01F10/00

Abstract: 本发明提供了一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件，钉扎铁磁层结构包括基片、待钉扎铁磁层、环绕包裹在待钉扎铁磁层周围的反铁磁层，且反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行。通过在待钉扎铁磁层的侧面形成反铁磁层，且还使反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行，以实现对待钉扎铁磁层的钉扎。由于反铁磁层位于待钉扎铁磁层的侧面，在待钉扎铁磁层的上方和下方都无需再设置反铁磁层，从而既能够在待钉扎铁磁层的上方又能够在待钉扎铁磁层的下方设置诸如缓冲层等的其他附加层，而不受反铁磁层的影响，防止出现由于晶格失配和界面处材料混合而削弱反铁磁层的钉扎效果，进而提高钉扎效果。

公开(公告)号：CN115996579A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202111206785.4

申请日：2021-10-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 毕冲 ,  娄凯华 ,  刘明

IPC: H10B61/00 ,  H10N52/00 ,  H10N52/01 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供了一种SOT‑MRAM及其制造方法，该SOT‑MRAM包括基片、设置在基片上的多个存储单元。每个存储单元包括沉积在基片上的SOT层、设置在SOT层上的磁性隧道结。还包括至少环绕包裹每个磁性隧道结中自由层侧面的反铁磁绝缘层，且反铁磁绝缘层的磁矩方向与SOT层中写入电流的方向平行。通过在每个磁性隧道结的侧面添加设置至少环绕包裹每个磁性隧道结中自由层侧面的反铁磁绝缘层，且还使反铁磁绝缘层的磁矩方向与写入电流的方向平行，能够给自由层提供一个面内磁场，用于SOT‑MRAM的无外磁场翻转，解决SOT‑MRAM由于写入过程中需要施加一个外磁场而无法大规模集成的问题。且所添加设置在反铁磁绝缘层由于环绕磁性隧道结设置，从而还具有保护磁性隧道结不被周围环境影响的作用。

公开(公告)号：CN103824588B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201410089942.1

申请日：2014-03-12

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 毕冲 ,  龙世兵 ,  刘明

IPC: G11C11/14 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/5607 ,  G11C11/14 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18

Abstract: 本发明涉及信息数据的存储和处理技术领域，公开了一种对磁多畴态进行调控的方法，该方法是在磁性薄膜中通入电流的同时，施加一个磁场强度为0至4×105A/m的外磁场来调控磁性薄膜的磁化状态，其中电流用于推动磁性薄膜磁多畴态中的磁畴移动，外磁场用于调控磁性薄膜中新磁畴的产生和已有磁畴在移动过程中的状态，从而使磁性薄膜处于一个稳定的磁多畴态。此多畴态不会被更高或更低的电流所影响，并能在撤去电流后保持稳定。该方法可用于目前的磁存储器和未来自旋逻辑器件中的磁化状态操纵，实现非易失性的多值存储和多位逻辑运算。