公开(公告)号：CN100368837C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200510011606.6

申请日：2005-04-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  顾明 ,  高鹏

IPC: G02B6/132 ,  G02B6/13 ,  C03C25/22

Abstract: 一种用标准CMOS工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：在硅衬底上、二氧化硅层的两端，分别制作阱和有源区，一端形成光源，另一端形成探测器；步骤2：在硅衬底上的中间生长二氧化硅层；步骤3：在二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃层形成光波导，该阱和有源区分别与磷硅酸玻璃层耦合；步骤4：在磷硅酸玻璃层上淀积金属铝形成上包层；光源发出的光直接耦合进光波导，通过光波导传送到光探测器，并由光探测器转换成电信号。

公开(公告)号：CN1967301A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200510086898.X

申请日：2005-11-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  顾明 ,  刘海军

IPC: G02B6/13

Abstract: 本发明一种用标准工艺制作金属间氧化层光波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在衬底上生长第一二氧化硅层；步骤二：在衬底上制作光源和探测器；步骤三：在二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃；步骤四：在磷硅酸玻璃上淀积第一金属层作波导下包层；步骤五：在第一金属层上淀积第二二氧化硅层做波导芯层；步骤六：在第二二氧化硅层上淀积第二金属层作波导上包层；其中第二二氧化硅层与硅基发光器相耦合，第二二氧化硅层与硅基光探测器相耦合。

公开(公告)号：CN1854775A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510011606.6

申请日：2005-04-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈弘达 ,  顾明 ,  高鹏

IPC: G02B6/13

Abstract: 一种用标准工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：在硅衬底上的中间生长二氧化硅层；步骤2：在硅衬底上、二氧化硅层的两端，分别制作阱和有源区，一端形成光源，另一端形成探测器；步骤3：在二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃层形成光波导，该阱和有源区分别与磷硅酸玻璃层耦合；步骤4：在磷硅酸玻璃层上淀积金属铝形成上包层；光源发出的光直接耦合进光波导，通过光波导传送到光探测器，并由光探测器转换成电信号。