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公开(公告)号：CN1825632A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510009540.7
申请日：2005-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种聚光太阳电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以砷化镓或锗单晶片为衬底；步骤2：利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤3：在外延片上制作上电极，在衬底的下面制作下电极：步骤4：腐蚀上表面、蒸镀减反射膜、对电池组件封装；步骤5：利用一支架在电池的正面安装聚光装置，在电池的背面安装冷却装置；步骤6：安装对日跟踪装置，完成电池的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1787233A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410009993.5
申请日：2004-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种集成太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：利用金属有机化合物气相沉积法和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤3：采用多次刻蚀、镀膜及合金工艺将太阳电池外延片分隔成多个单元；步骤4：连线、封装，将多个分隔的单元电池制成集成化太阳电池芯片。
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公开(公告)号：CN1147010C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN00132745.3
申请日：2000-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件，包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层；在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口；在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型限制层、量子阱有源层、p型限制层、p型正电极接触层；在p型正电极接触层上制作透明正电极和正电极焊盘；在电介质层上第二次开负电极窗口，并在此窗口上制作负电极。
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公开(公告)号：CN1354528A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN00132745.3
申请日：2000-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件,包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层;在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口;在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型限制层、量子阱有源层、p型限制层、p型正电极接触层;在p型正电极接触层上制作透明正电极和正电极焊盘;在电介质层上第二次开负电极窗口,并在此窗口上制作负电极。
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公开(公告)号：CN1338783A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN00120889.6
申请日：2000-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法,包括:在半导体面发光器件的n区(或p区)具有增强平行于p－n结平面的电子迁移率的二维电子气(二维空穴气),以及在光输出面具有增强透光性网格状的电极。含有新结构的半导体面发光器件(如:发光二极管,面输出的激光二极管等)具有光输出效率高,整个发光面发光均匀,避免了对厚度要求极其苛刻的金属透明电极,或减少了器件的厚度,以及由此带来制作成本低廉的优点。
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