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公开(公告)号:CN118791230A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202410776511.6
申请日:2024-06-17
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要: 本发明属于微晶玻璃封装技术领域,涉及高强度高膨胀微晶玻璃材料、低应力密封件及制备方法。本发明提供了一种微晶玻璃材料,其组成包括:主晶相形成成分、促进析晶调节剂、抑制析晶调节剂、高温性能调节剂和过渡氧化物;所述主晶相成分选自60~80mol%SiO2、0~20mol%ZnO、5~20mol%Li2O;所述促进析晶调节剂选自1~5mol%R2O、1~5mol%P2O5,R=Na、K中的至少一种。本发明制备的微晶玻璃材料可析出具有高膨胀系数与高力学强度的晶相,同时残余玻璃相中富聚了高摩尔比的稀土氧化物,因此其兼具高膨胀系数和应用温度。
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公开(公告)号:CN117658622A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202211039317.7
申请日:2022-08-29
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/465 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626 , C03C12/00 , H01P1/20
摘要: 本发明涉及一种5G介质滤波器用陶瓷材料及其制备方法。所述5G介质滤波器用陶瓷材料的化学组成为xCBZS玻璃‑(1‑x)Mg0.95Ca0.05Ti0.95(Zn1/3Nb2/3)0.05O3,其中wt%≤x≤wt%;所述CBZS玻璃的组成包括:40~60 mol%的CaO、10~25 mol%的B2O3、25~45 mol%的ZnO、10~20 mol%的SiO2。
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公开(公告)号:CN116396072B
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202310673231.8
申请日:2023-06-08
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/465 , H05K1/03 , C08K3/24 , C08L27/18 , C08L71/12 , C08L79/08 , C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626
摘要: 本发明涉及一种微波复合基板用高介电常数的陶瓷粉体和应用,属于高介电常数的陶瓷粉体和高频复合介质材料制备领域。所述微波复合基板用高介电常数的陶瓷粉体的化学组成为R(1‑x)MxTiO3;其中,R为Ca、Sr、Ba中的一种,M为Co、Ni、Mn、Zn中的三种,0.1≤x≤0.4;当M选自Co、Ni、Mn、Zn中的三种时分别记为M1、M2和M3,M1、M2和M3的摩尔比为(0.5~1.5):(0.5~1.5):1所述微波复合基板用高介电常数的陶瓷粉体的粒径D50为5~15μm,且D10为0.7~1.6μm。
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公开(公告)号:CN115959915A
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202211642031.8
申请日:2022-12-20
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要: 本发明涉及一种低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料及其制备方法和应用。所述低介电常数低损耗高强度的低温烧结材料包括:Sr(1‑x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体、以及分散在Sr(1‑x)K2xAl2B2O7陶瓷相基体中的片状云母相,其中0≤x≤0.4;所述片状云母相的质量为低温烧结材料总质量的0~30%,优选为0~20%。
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公开(公告)号:CN115565781A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202210857698.3
申请日:2022-07-20
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要: 本发明涉及一种TiO2@SiO2@BaTiO3复合陶瓷粉体材料及其制备方法和应用。所述TiO2@SiO2@BaTiO3复合陶瓷粉体材料,包括:BaTiO3陶瓷粉体作为内核,以及依次包覆在BaTiO3陶瓷粉体表面的SiO2层和TiO2层;所述SiO2层组分为SiO2相;所述TiO2层组分为TiO2相;所述TiO2@SiO2@BaTiO3复合陶瓷粉体材料中SiO2相的质量含量为0.5~5%,TiO2相含量为0.3~1.5%。
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公开(公告)号:CN115557783A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202210825287.6
申请日:2022-07-14
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/447 , C03C12/00 , C03C3/064 , C04B35/80 , C04B35/622
摘要: 本发明涉及一种低膨胀低介电常数低损耗的低温共烧材料及其制备方法,具体涉及一种BPO4/BSMP/片状Al2O3低温共烧材料及其制备方法。所述BPO4/BSMP/片状Al2O3低温共烧材料包括BPO4陶瓷相、BSMP玻璃相和片状氧化铝相;所述BPO4陶瓷相为BPO4/BSMP/片状Al2O3低温共烧材料总质量的20~80%;所述BSMP玻璃相的质量为BPO4/BSMP/片状Al2O3低温共烧材料总质量的20~70%;所述片状Al2O3相的质量为BPO4/BSMP/片状Al2O3低温共烧材料总质量的0~10%。
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公开(公告)号:CN113121117B
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN202010026806.3
申请日:2020-01-10
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要: 本发明公开一种适用于OLED封装的玻璃粉及其制备方法和应用。所述不析晶低熔点玻璃粉中基础玻璃粉料的组成包括:Bi2O3 50~90wt%,B2O3 5~25wt%,ZnO 3~20wt%,以及10wt%以下的选自MgO、SiO2、Al2O3、Na2O、K2O、Li2O、SrO、BaO、CaO、Nd2O3、Sm2O3、Sb2O3中的至少一种添加剂。
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公开(公告)号:CN111377721B
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN201811612638.5
申请日:2018-12-27
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/16
摘要: 本发明涉及一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法,所述低温共烧陶瓷材料的化学组成为x ABZSL玻璃‑(1‑x)Zn2SiO4,其中5.0 wt%≤x≤60.0 wt%;ABZSL玻璃的组分包括10.0~30.0 mol%Al2O3、30.0~45.0 mol%B2O3、25.0~35.0 mol%ZnO、5.0~15.0 mol%SiO2、2.0~10.0 mol%La2O3,ABZSL玻璃中各组分摩尔百分比之和为100mol%。
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公开(公告)号:CN112759869A
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN201911001863.X
申请日:2019-10-21
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C08L27/18 , C08K3/38 , C08K9/06 , B32B15/085 , B32B15/082 , B32B15/20 , B32B27/20 , B32B27/30 , B32B27/32 , C09K5/14
摘要: 本发明涉及一种轻质高导热、低介电损耗的氟树脂/h‑BN复合介质材料及其制备方法,所述氟树脂/h‑BN复合介质材料包括:氟树脂基材、和分布于所述氟树脂基材中的微波介质陶瓷粉体h‑BN;所述微波介质陶瓷粉体h‑BN的含量为10~50wt%,优选20~35wt%。该复合材料在保留优良介电性能的前提下具备良好的加工性能,可满足新一代通讯材料的要求。
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公开(公告)号:CN107805067B
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN201711066157.4
申请日:2017-11-02
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号: C04B35/495 , C04B35/622
摘要: 本发明涉及一种零频率温度系数及超低损耗的低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,所述微波介质陶瓷的化学通式为xMg2SiO4‑(1‑x)MgTa2O6+y wt%B,所述B为ZnO、CuO、Al2O3、Ga2O3、TiO2、ZrO2、SnO2、MnO2、Nb2O5、Sb2O5和WO3中的至少一种,其中x代表Mg2SiO4占Mg2SiO4和MgTa2O6总摩尔量的百分数,0<x<1;y代表B占Mg2SiO4和MgTa2O6的总质量的百分数,0≤y≤5。
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