-
公开(公告)号：CN113126332A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110474166.7
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种马赫曾德尔电光调制器及调制方法，包括第一2×2MMI结构、第二2×2MMI结构及2个相位调制臂，其中，相位调制臂位于所述第一2×2MMI结构及第二2×2MMI结构之间，且相位调制臂的两侧具有DC电极及RF电极，以构成包括1个输入光波导及3个输出光波导的电光调制器；且电光调制器位于第一环境中，3个输出光波导分别与位于第二环境中的3个输出光纤耦合，且第一环境中的温度小于第二环境中的温度。本发明可减少光波在低温区域的耗散，从而可降低制冷能耗，同时，降低传输系统比特能耗；进一步的，电光调制器偏置在工作区域，使第一输出光波导输出最小光强，使得调制信号具有较高的消光比。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110718841A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910926337.8
申请日：2019-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S3/08
Abstract: 本申请提供一种片上集成硅基微球腔的制备方法，包括以下步骤：获取SOI基片，SOI基片包括顶部的器件层，底部的支撑层和位于器件层和支撑层之间的氧化层，器件层为Si层,氧化层为SiO2层，支撑层为Si层；采用匀胶机在器件层上旋涂光刻胶层；采用光刻机曝光后显影，将设定大小的圆形图案转移到光刻胶层上；在器件层上依次刻蚀出顶部硅柱和底部硅柱，其中底部硅柱的顶面直径小于顶部硅柱的直径，顶部硅柱为圆柱结构；去除光刻胶层；顶部硅柱结构经过激光辐照加热熔化设定时间后，顶部硅柱结构形成球形微腔。本申请实施例提供的硅基微球腔的制备方法通过在SOI基片上刻蚀顶部硅柱和底部硅柱获得的球形微腔粗糙度很小，品质因子Q值很高。
-
公开(公告)号：CN119374502A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310932927.8
申请日：2023-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线单光子探测器膜厚测试结构、方法及制备方法，所述膜厚测试结构包括从下至上依次层叠设置的衬底、底反射层、超导膜层、介质材料层及顶反射层；其中，所述底反射层、所述超导膜层、所述介质材料层及所述顶反射层形成光学微腔结构；所述底反射层及所述顶反射层作为所述光学微腔结构的两个反射面；所述超导膜层及所述介质材料层作为所述光学微腔结构的间隔层。本发明提供的超导纳米线单光子探测器膜厚测试结构、方法及制备方法，能够解决现有膜厚测试手段无法准确测试得到超导纳米线单光子探测器的超导膜层膜厚的问题。
-
公开(公告)号：CN117309163A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311459810.9
申请日：2023-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种超导单光子探测器双端读出电路、读出方法及探测系统，用于对M个超导单光子探测器的脉冲信号进行读出，M为大于等于1的整数，包括：传输光波导和M个电光调制结构；各电光调制结构与各超导单光子探测器一一对应设置，用于将脉冲信号转为携带热信号的谐振光波，进而耦合至所述传输光波导；传输光波导的第一端输入宽谱光信号，第二端作为输出端，将各电光调制结构输出的谐振光波同时输出。本发明通过设置光电转换结构，将脉冲信号转为光信号并以光信号传输的方式输出，可以实现对微弱信号的跨温区传输、漏热极小且具有较强的抗干扰性。
-
公开(公告)号：CN115542583A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211112142.8
申请日：2022-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种电光调制器、调制方法及系统，包括：微腔光耦合装置及超导热电极；所述微腔光耦合装置包括微环谐振腔及波导，所述微环谐振腔与所述波导耦合；所述超导热电极覆盖于所述微环谐振腔的部分上方区域，接收直流偏置信号及射频调制信号，用于在所述超导热电极呈有阻态时将所述射频调制信号加载到所述微腔光耦合装置中的光信号中。本发明的电光调制器、调制方法及系统适用于极低温的工作环境(低于超导热电极材料的超导临界温度)；通过将微弱高频电流信号加载到光信号上，实现高频微弱电流信号的电光转换；而且本发明叠加了微腔光耦合装置的高灵敏度和超导材料失超突变的高灵敏度优势，使得高频微弱电流信号的传输高效稳定。
-
公开(公告)号：CN114152902A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111467286.0
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种基于薄膜桥约瑟夫森结的SQUID探针及其使用方法，该结构包括：硅基底，硅基底的一端经过深硅刻蚀技术形成为针尖形状；器件探针端，包括形成在硅基底的针尖形状所在端上的一个第一SQUID；器件抵消端，包括形成在远离器件探针端的一个第二SQUID；第一反馈线圈及第二反馈线圈。SQUID探针结合深硅刻蚀技术将制备在硅基底上的器件探针端设置在硅基底的针尖形状所在端上，可精准控制第一SQUID与硅片尖端边缘的距离，从而提高SQUID与样品表面的磁耦合强度，并且在使用时可将SQUID探针结构与音叉共振结合实现精确的tip‑sample距离控制，从而大幅度提高硅基底上SQUID探针的空间分辨率；另外结合硅基底上集成的第一及第二反馈线圈可以实现探针的多功能测量。
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.032 seconds)
