公开(公告)号：CN112020206B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202010822822.3

申请日：2020-08-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陶虎 ,  王雪迎 ,  周志涛 ,  魏晓玲

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/06

Abstract: 本申请公开了一种高密度脑电极的信号连接板、制备方法及设备，该信号连接板包括衬底、以及设置在衬底上的多层金属布线层和多层绝缘层，每层绝缘层中的第二绝缘部在信号连接板厚度方向的正投影尺寸，小于等于邻近的下层金属布线层中金属走线部在所述信号连接板厚度方向的正投影尺寸，且大于等于邻近的上层金属布线层在信号连接板厚度方向的正投影尺寸。从而能够增加信号线路板可以连接的通道数量，实现高密度脑机接口的信号连接。

公开(公告)号：CN112020206A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010822822.3

申请日：2020-08-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陶虎 ,  王雪迎 ,  周志涛 ,  魏晓玲

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/06

Abstract: 本申请公开了一种高密度脑电极的信号连接板、制备方法及设备，该信号连接板包括衬底、以及设置在衬底上的多层金属布线层和多层绝缘层，每层绝缘层中的第二绝缘部在信号连接板厚度方向的正投影尺寸，小于等于邻近的下层金属布线层中金属走线部在所述信号连接板厚度方向的正投影尺寸，且大于等于邻近的上层金属布线层在信号连接板厚度方向的正投影尺寸。从而能够增加信号线路板可以连接的通道数量，实现高密度脑机接口的信号连接。