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公开(公告)号:CN105047816A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510391019.8
申请日:2015-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料、相变存储器单元及其制备方法,所述Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的组分通式为CrxGe2Sb2Te5,其中,x为Cr元素的原子比,且满足0.5
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公开(公告)号:CN105047816A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510391019.8
申请日:2015-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料、相变存储器单元及其制备方法,所述Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的组分通式为CrxGe2Sb2Te5,其中,x为Cr元素的原子比,且满足0.5