公开(公告)号：CN112375213A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011256747.5

申请日：2020-11-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋健 ,  李铁

IPC: C08G61/12

Abstract: 本申请提供一种新型导电聚合物及其制备方法和应用，为具有如下式I结构的聚合物： 其中，R为C6～C18的烷基；R’为C6～C16的硫烷基或者氧烷基；n为1～100之间的整数。该聚合物在引入噻吩类化合物的基础上，进一步对噻吩类化合物的结构进行了柔性烷基链修以及引进C＝C键，不仅使得该聚合物的溶解度大大提高，也可以很好的提高分子迁移率；同时，通过引入并二噻吩(BT)与硫烷基氧烷基结构，可以对材料能级、溶解度和电学性能等进行优化，使得该聚合物具有性能优异、吸光性好以及热稳定性高等优点。

公开(公告)号：CN111551587A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010284655.1

申请日：2020-04-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋健 ,  李铁 ,  郭腾飞 ,  王跃林

IPC: G01N27/00

Abstract: 本申请提供一种气体传感器及其制备方法和调控气体传感器性能的方法，该气体传感器为有机场效应晶体管气体传感器，包括：绝缘层；敏感材料层；敏感材料层设于绝缘层的上表面；源极和漏极；源极和漏极采用叉指电极制备形成；叉指电极设于敏感材料层的上表面；本申请实施例提供的有机场效应晶体管气体传感器的敏感材料层的分子排布能够通过调整敏感材料层制备工艺进行调控；通过调控敏感材料的分子排布能够优化气体传感器的性能，且不同分子排布状态的敏感材料制备成的气体传感器能够进行不同气体分子的识别。