Patent search ap:("中国科学院上海微系统与信息技术研究所") AND inv:"叶好华" Page 2

11.

发明公开
氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法失效转让

公开(公告)号：CN1587438A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410053351.5

申请日：2004-07-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 于广辉 , 雷本亮 , 叶好华 , 齐鸣 , 李爱珍

IPC: C23C16/00 , C23C14/34 , H01L21/20

Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。低温AlN插入层的引入，释放了低温AlN层上继续生长的GaN膜中的应力，从而提高了GaN层的质量。这种方法简单易行，且对于低温AlN层的结晶质量要求不高，适合于科学实验和批量生产时采用，AlN层可以采用化学气相沉积、分子束外延或溅射等方法制备的。

Patent Agency Ranking