公开(公告)号：CN109524035B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201811179281.6

申请日：2018-10-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 叶力

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种存储单元、嵌入式存储器及其读写方法，包括：并联设置的第一器件及第二器件，第二器件的下表面设置有第一超导电极，第一器件的上表面设置有第二超导电极，第一器件与第二器件在垂直平面内的正投影不交叠。多个存储单元形成阵列，各行或各列存储单元通过第一超导位线串联连接；各存储单元分别对应一位于存储单元上方或下方的超导字线，超导字线与第一超导位线垂直设置。本发明的嵌入式存储器可完全嵌入在超导集成电路中，以实现低温、高速、低功耗存储，适用于超导计算机的缓存和主存，可在低电压下工作，无需SFQ‑CMOS接口，并对SFQ放大器要求较低。

公开(公告)号：CN109860192B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201910150968.5

申请日：2019-02-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郎莉莉 ,  叶力

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/18 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供一种存储阵列结构及制备方法、存储器及写入方法和读出方法，阵列结构包括：至少一个存储单元，包括叠置串联的超导器件及磁性存储器件；至少一个超导上电极，设置于存储单元上方，至少一个超导下电极，设置于存储单元下方，至少一个超导字线，设置于存储单元上方，或者设置于存储单元下方，超导字线靠近存储单元中的超导器件设置。本发明将磁性存储器件与超导集成电路有机结合，利用超导器件实现电路的开关效果，从而替代CMOS逻辑电路，可以实现存储器在低温下的工作，保证MRAM在低的工作电压下实现高速、高密度存储，基于不同的写入方式实现上述工作，形成适用于超导逻辑制程的信息读取方式，结构设计简单，有利于减少刻蚀次数。

公开(公告)号：CN111725322A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910813317.X

申请日：2019-08-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王彩露 ,  叶力

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法和应用方法，涉及半导体器件技术领域。本发明通过石墨烯导电沟道层的n型掺杂和p型掺杂，可以有效打开石墨烯的带隙，使得石墨烯具有半导体的性质，从而可以形成场效应晶体管，工艺流程简单，相对于现有技术，本发明的石墨烯场效应晶体管可以通过栅电极电压控制沟道的形成与消失，可以实现较高的开关比，提高栅控能力，从而可以制备成具有开关功能的三端器件，实现逻辑电路的通断并降低逻辑电路的静态功耗，在集成电路领域具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN109638151B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201811473848.0

申请日：2018-12-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郎莉莉 ,  叶力

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种存储单元、低温存储器及其读写方法，包括：并联设置于超导上电极与超导下电极之间的磁性存储器件、第一及第二超导器件，磁性存储器件位于第一、第二超导器件之间；磁性存储器件的自旋流产生层在厚度及宽度方向上贯穿超导下电极(或超导上电极)，且该自旋流产生层上表面(或下表面)近邻自由层。多个存储单元排列形成阵列，相邻两个存储单元的超导上电极或超导下电极相连，以实现各行或各列存储单元的串联，超导上电极与超导下电极作为超导位线；各超导器件的上方或下方对应设置一超导字线。本发明将SOT‑MRAM存储单元完全嵌入超导集成逻辑电路组成低温磁存储器，以实现信息在极限低温、高速、低功耗存储，适用于超导计算机的缓存和主存。

公开(公告)号：CN109860192A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910150968.5

申请日：2019-02-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郎莉莉 ,  叶力

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/18 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供一种存储阵列结构及制备方法、存储器及写入方法和读出方法，阵列结构包括：至少一个存储单元，包括叠置串联的超导器件及磁性存储器件；至少一个超导上电极，设置于存储单元上方，至少一个超导下电极，设置于存储单元下方，至少一个超导字线，设置于存储单元上方，或者设置于存储单元下方，超导字线靠近存储单元中的超导器件设置。本发明将磁性存储器件与超导集成电路有机结合，利用超导器件实现电路的开关效果，从而替代CMOS逻辑电路，可以实现存储器在低温下的工作，保证MRAM在低的工作电压下实现高速、高密度存储，基于不同的写入方式实现上述工作，形成适用于超导逻辑制程的信息读取方式，结构设计简单，有利于减少刻蚀次数。