公开(公告)号：CN102360564B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201110285756.1

申请日：2011-09-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  余涛 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  柴展

IPC: G11C11/40

Abstract: 本发明提供一种双晶体管储存器，包括I-MOS管与MOSFET管，所述I-MOS管的栅极连接有字线，所述I-MOS管的漏极连接有第一位线，所述MOSFET管的栅极连接所述I-MOS管的源极，所述MOSFET管的漏极连接有第二位线，所述MOSFET管的源极接地。本发明中由I-MOS管与MOSFET管组成的双晶体管储存器不但具有非常快的开关速度，而且能有效避免“0”状态时GIDL电流的影响，从而提高“0”态保持时间。

公开(公告)号：CN102916041A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210458192.1

申请日：2012-11-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 罗杰馨 ,  陈静 ,  伍青青 ,  柴展 ,  余涛 ,  吕凯 ,  王曦

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法。该基于SOI的锗硅异质结双极晶体管，其包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及形成于该埋氧化层上的有源区和隔离区；所述有源区一端形成有集电极，其余部分形成集电区，所述集电区与所述隔离区上形成有基区，所述基区上形成有发射极和基极，所述发射极和基极分别被侧墙氧化层包围；所述集电区包括掺杂硅膜以及位于所述掺杂硅膜下部的重掺杂第一多晶硅层。本发明的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法利用高剂量的Si离子注入，在SOI的顶层硅膜与埋氧层交界的地方形成多晶硅，多晶硅层降低了集电极电阻，从而有效提高了基于SOI的SiGeHBT器件的截止频率。

公开(公告)号：CN102569069A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210062609.2

申请日：2012-03-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  余涛 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  柴展

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L29/0821

Abstract: 本发明提供一种SiGe-HBT晶体管及其制备方法，属于微电子与固体电子领域。该SiGe异质结双晶体管的制备方法通过采用离子注入技术，在集电区与空间电荷区重叠区域中形成掺杂浓度相等的P+层与N+层组成的叠层，所述P+层或N+层的掺杂浓度值呈高斯分布，且其浓度值小于基区的掺杂浓度值，大于集电区的掺杂浓度值。本发明的方案不仅可以改变局部势垒区电场值大小，还可以改变势垒区电场的分布情况，在保证不牺牲渡越时间、截止频率以及最大振荡频率的情况下，提高基极-集电极击穿电压，或者在保证击穿电压不恶化的情况下，增加集电区掺杂浓度，提高空间电荷区渡越时间和截止频率。

公开(公告)号：CN102360564A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110285756.1

申请日：2011-09-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  余涛 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  柴展

IPC: G11C11/40

Abstract: 本发明提供一种双晶体管储存器，包括I-MOS管与MOSFET管，所述I-MOS管的栅极连接有字线，所述I-MOS管的漏极连接有第一位线，所述MOSFET管的栅极连接所述I-MOS管的源极，所述MOSFET管的漏极连接有第二位线，所述MOSFET管的源极接地。本发明中由I-MOS管与MOSFET管组成的双晶体管储存器不但具有非常快的开关速度，而且能有效避免“0”状态时GIDL电流的影响，从而提高“0”态保持时间。