一种绝缘灌封方法及功率半导体器件

    公开(公告)号:CN115799085A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211426344.X

    申请日:2022-11-15

    IPC分类号: H01L21/56 H01L23/31

    摘要: 本发明公开了一种绝缘灌封方法及功率半导体器件,该方法包括:在待灌封样品表面形成涂覆层;在待灌封样品形成涂覆层的表面进行第一层灌封,第一层灌封包括第一灌胶和第一脱气处理,第一脱气处理包括多次真空和正压处理;在待灌封样品进行第一层灌封后的表面进行第二层灌封。通过实施本发明,对待灌封样品构建了三道保护防线,其中,形成的涂覆层能够降低局放起始电压,第一层灌封能够对待灌封样品进行绝缘保护,第二层灌封起到支撑和导热作用,同时能够更好的隔绝外部环境水汽,提高器件可靠性。并且,在进行第一层灌封时,第一脱气处理采用真空和正压反复处理,能够通过改变气体的逃逸系数,促使气泡排除/破裂,从而实现无缺陷灌封。