一种p-i-n结及制备方法、二极管和β核电池

    公开(公告)号:CN114203327A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111518663.9

    申请日:2021-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种p‑i‑n结及制备方法、二极管和β核电池,p‑i‑n结由下到上依次为GaN缓冲层、GaN的n型掺杂层、掺入层i层和GaN的p型掺杂层,所述掺入层i层为由不同带隙的半导体材料薄层周期性地交替生长而成的量子阱结构,所述不同带隙的半导体材料包括GaN,还至少包括一种比GaN更宽带隙的半导体材料。本发明一方面通过增大耗尽区的宽度来增加电子空穴对的收集空间,减少扩散运动所带来的影响,从而可以产生更多的载流子,获得更大电流,另一方面引入了更宽带隙的半导体,有利降低由载流子扩散引起的反向饱和电流获得更高的开路电压,进而获得更高的能量转换效率。

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