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公开(公告)号：CN105675952A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410659672.3
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国农业大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明提供一种电流测量装置、电流测量方法及电流测量装置制作方法，该装置包括：弹性卡钳，所述弹性卡钳包括：预制的钳头为圆环形的弹性卡钳本体和镶入在弹性卡钳本体的圆环形钳头上的由多个霍尔元件组成的钳式闭合圆环；信号处理加和电路，用于在弹性卡钳钳住通过待测电流的导线时，获取每个霍尔元件的霍尔电压，并根据每个霍尔元件的霍尔电压，基于安培环路定理获取待测电流值，将待测电流值输出到显示接口电路；显示接口电路，用于获取信号处理加和电路输出的待测电流值，并将待测电流值输出到显示装置。上述装置能够安全、简便、低成本、高效率且实时地测量各处各种电流，且其应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN109238467A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810994166.8
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国农业大学
IPC: G01J4/00
Abstract: 本发明公开了一种光偏振度测量装置，包括外壳、棱镜、旋转装置、入射光导光管、光传感器、水平传感器、温湿度传感器、反射光导光管、数码管显示器和处理器，其中，入射光导光管、反射光导光管、水平传感器和处理器安装在外壳内；温湿度传感器安装在顶盖上；棱镜安装在两导光管之间；光传感器安装在外壳内反射光导光管的出射光一端；水平调节装置安装在底座上；数码管显示器及各传感器的输出端连接处理器；外壳设置在旋转装置上表面。本发明测量精度高，结构简单，是一种易于实现的高精度的偏振度测量装置。
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公开(公告)号：CN106679557B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201710160883.6
申请日：2017-03-17
Applicant: 中国农业大学
IPC: G01B7/02
Abstract: 本发明公开了一种测量磁悬浮球微位移的装置和方法，所述装置包括球腔、上悬浮线圈、下悬浮线圈、上金属环、下金属环、中间金属环、磁悬浮球。所述方法利用上金属环、磁悬浮球、下金属环组成的电容传感器来测量磁悬浮球在z坐标轴方向上的微位移，利用x轴中间金属环和y轴金属环与磁悬浮球组成的电容传感器分别测量x轴、y轴方向上的微位移。此装置结构简单，方法简便，测量精度高，适合于在低温超导仪器中测量超导体微位移测量。
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公开(公告)号：CN106679557A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710160883.6
申请日：2017-03-17
Applicant: 中国农业大学
IPC: G01B7/02
CPC classification number: G01B7/02
Abstract: 本发明公开了一种测量磁悬浮球微位移的装置和方法，所述装置包括球腔、上悬浮线圈、下悬浮线圈、上金属环、下金属环、中间金属环、磁悬浮球。所述方法利用上金属环、磁悬浮球、下金属环组成的电容传感器来测量磁悬浮球在z坐标轴方向上的微位移，利用x轴中间金属环和y轴金属环与磁悬浮球组成的电容传感器分别测量x轴、y轴方向上的微位移。此装置结构简单，方法简便，测量精度高，适合于在低温超导仪器中测量超导体微位移测量。
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公开(公告)号：CN106033105A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510102655.4
申请日：2015-03-09
Applicant: 中国农业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种判断p型AlGaN材料的方法，包括如下步骤：1)将待测AlGaN材料作为有源层制成AlGaN基紫外探测器；2)对AlGaN紫外探测器外加偏压，测得AlGaN紫外探测器的响应光谱；3)根据响应度随着负偏压的变化和响应光谱形状的变化，判断AlGaN材料是否为p型。本发明将待测材料制成紫外探测器，外加偏负压后，观察响应度的变化和光谱变化，如果随着反向偏压的增加，响应度会显著增加，而且响应光谱形状也会变得更平，长波和短波处的响应度会越来越接近，则判断是p型。反之，如果响应光谱的形状几乎没有变化，则判断是n型；利用该方法可以较准确地判断Al组分比较高AlGaN材料是否p型。
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