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公开(公告)号：CN116694951A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310611684.8
申请日：2023-05-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高强高导耐热Cu‑Cr‑Zr系合金材料及其制备方法和应用；在Cu‑Cr‑Zr合金基础上，添加了Fe、Si、Mg、Zn、Sn、Nb、Ag、Ti等元素，使合金在凝固过程中形成了亚微米级的耐热强化相，如Cr3Si、Cr2Nb等，并使合金材料在时效过程中析出的弥散分布纳米级富Cr相的高温稳定性得到了提高，通过多相协同弥散强化、应变强化、亚晶强化和固溶强化等多种强化机制共同作用，使合金具有高硬度、高强度、高导电性、软化温度高、高温性能优异的特点，可以应用于电阻点焊电极。
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公开(公告)号：CN103084388A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310029982.2
申请日：2013-01-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种超薄Ta-W合金箔材的制备方法；属于Ta-W合金加工技术领域。本发明包括粉末冶金法制备合金坯锭、冷轧开坯、冷轧/真空退火的循环操作以及3~5μm箔材的退火等步骤；所制备的箔材厚度可达到3~5μm，本发明工艺简单，制备的箔材精度高，与纯Ta箔材以及其他Ta-W合金箔材相比具有强度高、表面质量好等优点。本发明所制备厚度为3~5μm的Ta-（5.0~7.5wt%）W合金箔材适用于电子电工、航空航天等工业上大功率微波管和行波管等真空器件。本发明在实现大功率高性能微波管国产化、提高微波管使用性能和使用寿命等方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN1940103A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510032207.8
申请日：2005-09-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种Cu－TiB2合金及其制备方法。采用Cu－Ti和Cu－B作为中间合金，将中间合金分别熔化并过热至1300℃～1400℃后，使两熔体混合发生原位反应，生成TiB2纳米粒子和纯铜熔体的均匀混合体，将此混合体用喷射沉积的方法快速冷凝，制成Cu－TiB2合金坯锭，加工制成Cu－TiB2合金成品。本发明合金与无氧铜相比，具有强度高、抗高温退火软化性能高的优势，其σ0.2可比无氧铜高3～12倍，抗退火软化温度900℃以上，而导电率可达95％IACS，高浓度Cu－TiB2合金导电率可达75％IACS，与Cu－Fe－P系、Cu－Ni－Si系、Cu－Cr－Zr系沉淀强化型合金相比，Cu－TiB2合金具有较高的导电性和抗高温退火软化性能。
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公开(公告)号：CN119736515A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411936555.7
申请日：2024-12-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高强高导铜合金材料及其制备方法，其特征在于，所述铜合金材料根据析出强化型铜合金的析出特点，向铜中添加了Cr、Hf、P、Ce、Zn、Ag等元素，调控了合金的析出相，实现了两种纳米级强化相强化基体，提高了合金的力学性能、电学性能和抗软化性能；在传统固溶处理后，增加了预时效处理、预冷变形处理和回归处理，可以有效细化合金的晶粒，并调控多纳米级强化相的析出顺序，尽可能的保留析出强化相的强化效果。结合组合形变热处理即得高强高导铜合金材料，其以具有优异的力学性能(700MPa以上)和电学性能(70％IACS以上)。
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公开(公告)号：CN103084388B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310029982.2
申请日：2013-01-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种超薄Ta-W合金箔材的制备方法；属于Ta-W合金加工技术领域。本发明包括粉末冶金法制备合金坯锭、冷轧开坯、冷轧/真空退火的循环操作以及3～5μm箔材的退火等步骤；所制备的箔材厚度可达到3～5μm，本发明工艺简单，制备的箔材精度高，与纯Ta箔材以及其他Ta-W合金箔材相比具有强度高、表面质量好等优点。本发明所制备厚度为3～5μm的Ta-（5.0～7.5wt%）W合金箔材适用于电子电工、航空航天等工业上大功率微波管和行波管等真空器件。本发明在实现大功率高性能微波管国产化、提高微波管使用性能和使用寿命等方面具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103100563A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310028339.8
申请日：2013-01-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种超薄Mo-Re合金箔材的制备方法，属于Mo-Re合金加工技术领域。本发明克服了难以制备出厚度小于10μm、表面质量良好的Mo-Re合金箔材的难题，成功制备出了厚度为3~5μm、表面质量良好的Mo-Re合金箔材。本发明的制备方法包括粉末冶金法制备合金坯锭、冷轧开坯、冷轧/真空退火的循环操作以及3~5μm箔材的退火等步骤。本发明所制备的合金箔材其成分范围为：Re:43.5~47.5wt%，余量为Mo；其厚度为3~5μm。本发明工艺简单；所制备的箔材的弹性系数为340~350GPa、1200℃时的抗拉强度220~260MPa、显微硬度420~450HV、表面粗糙度（Rmax）0.02~0.05μm，适用于航空航天设备中大功率微波管和行波管等真空器件。
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公开(公告)号：CN101818273B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201010146348.3
申请日：2010-04-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高强度、高导电、抗高温软化性能的Cu-Nb合金制备方法。该方法包括：(1)制备Cu-Nb纳米晶固溶体粉末；(2)再进行真空热压烧结制备Cu-Nb合金坯锭；(3)再进行铜包覆，制成包套后封口，再将包好铜套的锭坯加热至850℃进行热挤压。使用本发明方法制备的Cu-Nb合金的σb可达600～800MPa，而相对导电率可达84％IACS～89％IACS，抗退火软化温度可达900～1100℃。可应用于电真空、电阻焊电极、高压开关、电子电工、核技术等领域。
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公开(公告)号：CN101984107A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010571290.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 中南大学 , 湖南有色金属控股集团有限公司
Abstract: 本发明涉及一种CuNiSiAl系弹性铜合金的制备方法，包括：熔铸、均匀化处理、热轧、固溶处理、冷轧、时效处理、再冷轧等步骤。本发明合金组分合理，合金化程度高，生产工艺简单，操作方便，生产成本低。本发明生产的合金与铍青铜相比，具有高强度、良好的导电性能、高抗应力松弛性能和不含有毒元素铍等优势。本发明所制备的CuNiSiAl系弹性铜合金具有超高强度、高抗应力松弛等特性，可适用于航天、航空以及微电子工业高性能导电弹性器件，如大功率密封电磁继电器等。
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公开(公告)号：CN101818273A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010146348.3
申请日：2010-04-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高强度、高导电、抗高温软化性能的Cu-Nb合金制备方法。该方法包括：(1)制备Cu-Nb纳米晶固溶体粉末；(2)再进行真空热压烧结制备Cu-Nb合金坯锭；(3)再进行铜包覆，制成包套后封口，再将包好铜套的锭坯加热至850℃进行热挤压。使用本发明方法制备的Cu-Nb合金的σb可达600～800MPa，而相对导电率可达84％IACS～89％IACS，抗退火软化温度可达900～1100℃。可应用于电真空、电阻焊电极、高压开关、电子电工、核技术等领域。
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公开(公告)号：CN100478125C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510032597.9
申请日：2005-12-22
Applicant: 中南大学
Abstract: 宽滞后铜基形状记忆合金管接头制备方法。采用Cu-Al-Mn-Zn-Zr形状记忆合金为原料，合金成分重量百分组成为：Al：8.3～9.0，Mn：8.0～8.8，Zn：3.0～4.0，Zr：0.1～0.2，余量为Cu，制备过程包括对合金的热挤压制备管坯、退火处理、冷拉制管、固溶处理、训练扩孔等过程。采用本发明，能够制备出能在室温下(≤40℃)扩孔、室温下贮存与装配，并能满足低温下(≥-25℃)使用要求的形状记忆合金管接头，可以简化工装设备和节省低温贮存所需的昂贵费用，经过固溶处理后的合金伸长率可高达12%，而6.5～8.5%的扩孔变形即可产生满足所需的宽滞后和记忆应变，产品成材率高。
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