公开(公告)号：CN1877821A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610031906.5

申请日：2006-06-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 杨伏良 ,  易丹青 ,  甘卫平 ,  张伟 ,  刘泓

IPC: H01L23/29 ,  B22F9/08

Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al－Si合金粉末；B)粉末的球磨处理工艺：将Al－Si合金粉末进行球磨，球料质量比为5～15∶1，球磨时间为8～32小时；C)热挤压工艺：将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压，挤压前对Al－Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。

公开(公告)号：CN1644736A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510031180.0

申请日：2005-01-21

Applicant: 中南大学 ,  经阁铝业科技股份有限公司

Inventor： 甘卫平 ,  陈铁平 ,  杨伏良 ,  张卫权 ,  李科

IPC: C22C21/08 ,  C22C1/02 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明公开了一种高强度高延伸率6063铝合金及其生产方法，该合金成分为一定重量百分比的镁、硅、铜、锰、铬、铁、锌、钛和铝，生产方法是：a.熔铸：配料装炉→熔化→搅拌与扒渣→覆盖→喷射精炼→扒渣与覆盖→静置保温→铸锭。b.挤压与热处理：均质化→空气冷却→铸锭加热→挤压→水雾淬火→断切→冷床冷却→拉伸→矫直→人工时效处理→成品。本设计提高了铝合金型材的力学性能，实现了其延伸率和强度的同步提高。经检测，抗拉强度σb提升至280～300MPa，延伸率δ升至13％以上，即强度和延伸率同步分别提高40％和60％，完全满足了现代门窗和幕墙对金属型材的高承力需求。

公开(公告)号：CN102631705A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210128816.3

申请日：2012-04-27

Applicant: 中南大学

Inventor： 周宏明 ,  胡建中 ,  易丹青 ,  肖来荣 ,  李荐 ,  杨伏良 ,  刘会群

IPC: A61L27/32 ,  C25D9/08

Abstract: 本发明涉及一种镧掺杂羟基磷灰石复合涂层及其制备方法，其目的是提供一种在模拟体液中稳定性高的活性涂层及其制备方法。配制出硝酸钙水溶液和磷酸二氢铵水溶液，控制pH值滴加混合后搅拌均匀得到电解液；以钛或钛合金基体作阳极，铂片为阳极，通过电化学沉积制备出羟基磷灰石涂层；将羟基磷灰石涂层浸泡于硝酸镧溶液中一段时间后，将样品取出干燥，得到镧掺杂羟基磷灰石复合涂层。本发明的特点在于通过浸泡处理对羟基磷灰石进行镧掺杂，提高了其在模拟体液中的稳定性，且不易被吸收，可用于各类骨的修复。

公开(公告)号：CN101597707A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910304306.5

申请日：2009-07-13

Applicant: 中南大学

Inventor： 杨伏良 ,  尹德艳 ,  熊落保 ,  李文意 ,  张国鹏 ,  马政 ,  党小荔

IPC: C22C21/02 ,  C22C21/08 ,  C22C21/10 ,  C22C21/18 ,  C22C1/02 ,  C22F1/043 ,  C22F1/047 ,  C22F1/053 ,  C22F1/057 ,  C21D1/26

Abstract: 一种铝镁硅铜合金及其制备方法，本发明的合金是由以下质量百分含量的成分构成：0.4～0.6％Mg，0.45～0.6％Si，0.3～0.8％Cu，0.1～0.2％Mn，0.1～0.7％Zn，0～0.1％Cr，0.01～0.02％Ti，控制Fe含量不大于0.3％，其余杂质总含量不大于0.1％，其余为Al。本发明的合金具有变形抗力降低的特点，不但挤压速度提高，还提高了生产效率，在产能不变的情况下可提高产量。另外，不需要额外的水淬工艺，热挤压后在线风淬，可降低设备投资成本。

公开(公告)号：CN100435321C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610031908.4

申请日：2006-06-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 杨伏良 ,  甘卫平 ,  易丹青 ,  张伟 ,  刘泓

IPC: H01L23/29 ,  B22F9/08

Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，A)、粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量比值6～8.8∶4～1.2制备成Al-Si合金粉末；B)、粉末的空气氧化处理工艺：将Al-Si合金粉末置于电阻炉内，升温至250～450℃，保温氧化8～32小时，取出后在空气中自然冷却；C)、热挤压工艺：将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上进行挤压，挤压前对Al-Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。本发明能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。

公开(公告)号：CN1877823A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610031908.4

申请日：2006-06-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 杨伏良 ,  甘卫平 ,  易丹青 ,  张伟 ,  刘泓

IPC: H01L23/29 ,  B22F9/08

Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al－Si合金粉末；B)粉末的空气氧化处理工艺：将Al－Si合金粉末置于电阻炉内，升温至250～450℃，保温氧化8～32小时，取出后在空气中自然冷却；C)热挤压工艺：将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上进行挤压，挤压前对Al－Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。本发明能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。