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公开(公告)号：CN107683346A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201580080986.0
申请日：2015-06-18
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 高知县公立大学法人
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高生产效率且得到高品质的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。并且，本发明的成膜方法实施以下的处理。在溶液容器(15)内，使含有金属元素即铝的原料溶液(14)雾化而得到原料溶液雾(M1)。在独立于溶液容器(15)的溶液容器(25)内，使含有氧化铝形成用的反应助剂的反应辅助溶液(24)雾化而得到助剂雾(M2)。并且，经由路径(L1)和(L2)向设置于反应容器(11)内的喷嘴(12)供给原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)。然后，在喷嘴(12)内使原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)混合而得到混合雾(M3)，向处于加热状态的P型硅基板(4)的背面上供给混合雾(M3)。
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公开(公告)号：CN104220375A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201280071921.6
申请日：2012-03-28
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/1291 , H01B1/08
Abstract: 本发明提供一种能以低成本制作低电阻的金属氧化膜的金属氧化膜的制造方法。因此，在涉及本发明的金属氧化膜的制造方法中，用含有烷基金属的溶液(7)对在非真空下配置的基板(1)喷雾。进一步，在该溶液(7)的喷雾时，对基板(1)喷雾含有由无机化合物构成的掺杂剂的掺杂剂溶液(5)。
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公开(公告)号：CN118215545A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280072998.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: B05B17/06
Abstract: 本公开的目的在于提供一种能够高精度地检测原料溶液的液面高度的超声波雾化装置。在本公开的超声波雾化装置(100)，在雾化容器(1)的侧面设置原料溶液分离管(20)。原料溶液分离管(20)具有用于容纳原料溶液(15)的原料溶液容纳空间(22)、以及用于在与原料溶液用容器之间进行原料溶液(15)的供给及排出的原料溶液通过口(20B)。与原料溶液分离管(20)接近地设置液面检测器(40)。液面检测器(40)检测原料溶液容纳空间(22)内的原料溶液(15)的液面(15A)的高度，并输出表示检测出的液面(15A)的高度的液面检测信号(S40)。
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公开(公告)号：CN113412162B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202080010905.0
申请日：2020-01-17
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: B05B17/06
Abstract: 本发明的目的在于提供一种实现了耐久性的提高的超声波雾化装置。而且，在本发明的超声波雾化装置(101)中，分隔杯(12)以及四个超声波振子(2)以满足“四个反射波(W2)不被四个超声波振子(2)中的任一个接收”这一反射波避免条件的方式设置。具体而言，分隔杯(12)的底面(BP1)被设定为设定曲率(K1)比以往的设定曲率(K6)大。而且，四个超声波振子(2)各自的距水槽(10)的底面的中心点(C10)的距离(D1)被设定为比以往的距离(D6)长。
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公开(公告)号：CN113412163A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080011751.7
申请日：2020-01-17
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: B05B17/06
Abstract: 本发明的目的在于提供一种对原料溶液的耐性优异、且能够生成适度雾化量的原料溶液雾的超声波雾化装置。而且，在本发明的超声波雾化装置(101)中，在作为容器(1)的一部分的分隔杯(12)内收容有原料溶液(15)。分隔杯(12)的构成材质为作为氟树脂之一的PTFE，整体的厚度均匀且具有0.5mm。因而，分隔杯(12)满足“底面BP1的厚度为0.5mm以下”这一薄膜条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108699692B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201680082592.3
申请日：2016-04-26
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供将装置成本抑制为最低限，且有效地抑制在成膜对象的基板产生翘曲、破裂的现象且能够发挥高处理能力的成膜装置。并且，本发明具有基板堆叠工作台(3A以及3B)，其分别载置基板(10)，并具有对载置的基板进行吸附的吸附机构(31)以及对载置的基板进行加热的加热机构(32)。利用基板移载机构(8)对基板堆叠工作台(3A以及3B)执行以速度(V0)依次穿过薄膜形成喷嘴(1)的喷射区域(R1)内的搬运动作。上述搬运动作包括巡回搬运处理，该巡回搬运处理将基板堆叠工作台(3A以及3B)中的、作为所载置的全部基板(10)穿过了喷射区域(R1)的一方基板载置工作台(3)，以巡回速度向另一方基板载置工作台(3)的后方巡回配置。
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公开(公告)号：CN107683347A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201580080989.4
申请日：2015-06-18
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 高知县公立大学法人 , 国立大学法人京都大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高生产效率且得到高品质的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。并且，本发明的成膜方法实施以下的处理。在溶液容器(15)内，使含有金属元素即铝的原料溶液(14)雾化而得到原料溶液雾(M1)。在独立于溶液容器(15)的溶液容器(25)内，使反应辅助溶液(24)雾化而得到助剂雾(M2)。经由相互独立的路径L1和L2将得到的原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)供给到混合容器(8)中后，在混合容器(8)内，将原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)混合而得到混合雾(M3)。并且，在与混合容器(8)独立地设置的反应容器(11)内，向在大气压下处于加热状态的P型硅基板(4)的背面上供给混合雾(M3)。
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公开(公告)号：CN105378938A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201380078121.1
申请日：2013-07-11
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 高知县公立大学法人
IPC: H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1868 , H01L31/0216 , H01L31/028 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在本发明的太阳能电池的制造方法中包括以下的工序。将包含铝元素的溶液(14)雾化。然后，在大气中，向p型硅基板(4)的主面雾状喷出雾化后的溶液(14)，从而形成氧化铝膜(5)。然后，利用形成有该氧化铝膜(5)的p型硅基板来制作太阳能电池。
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公开(公告)号：CN104755174A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201280076801.5
申请日：2012-11-05
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
CPC classification number: C23C16/455 , B05B1/044 , B05B7/0012 , B05B7/0075 , B05B7/0483 , B05B12/18 , B05B14/00 , B05B15/55 , C23C16/4412 , C23C16/4486 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其能够在基板上形成膜质良好的膜，能够将溶液有效地用于成膜处理，能够实现装置整体的小型化。因此，在本发明的成膜装置中，具备喷嘴(1)、第一室(2)、第一气体供给口(3a)、第二室(4)、贯通孔(5)以及喷雾口(10)。从喷嘴(1)喷射的液滴化了的溶液收纳于第一室(2)，通过来自第一气体供给口(3a)的气体，在第一室内(2)内使溶液雾化。雾化后的溶液通过贯通孔(5)从第一室(2)向第二室(4)移动，从设置于第二室(4)的喷雾口(10)朝向基板(50)雾状喷射。
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公开(公告)号：CN118647462A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202280088450.3
申请日：2022-12-20
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: B05B17/06
Abstract: 本公开的目的在于提供一种能够响应性良好且准确地求出原料溶液雾的雾供给量的超声波雾化装置。本公开的超声波雾化装置(101)不与包括雾输出用配管(1t)的雾化容器(1)接触，而在雾化容器(1)的上方具有非接触型雾供给配管(20)。在非接触型雾供给配管(20)的连结用配管部(23)与雾输出用配管(1t)的上部区域(A1t)之间设置配管重叠空间(SP12)。在配管重叠空间(SP12)内与雾输出用配管(1t)及非接触型雾供给配管(20)分别不接触地设置泄漏防止气体供给管(25)。泄漏防止气体供给管(25)从设置在上部的气体输出口(28)输出雾泄漏防止用气体(G2)。
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