-
公开(公告)号:CN1835961A
公开(公告)日:2006-09-20
申请号:CN200480023620.1
申请日:2004-08-11
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 一种具有低熔点及优异蒸发性能而且能在低温下在衬底上淀积成薄膜的有机金属化合物;以及一种从这种有机金属化合物制备铱基薄膜的方法。通式[2]和通式[3]所代表的化合物:[2][3]与通式[4]所代表的化合物反应,得到通式[1]所代表的有机铱化合物:[1][式中R1代表氢或低级烷基;R2代表低级烷基;X代表卤素;而M代表碱金属]。此化合物用作制备铱基薄膜的原料。