公开(公告)号：CN102866458B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210296470.8

申请日：2012-08-20

Applicant: 东南大学 ,  南京华脉科技股份有限公司

Inventor： 柏宁丰 ,  许正英 ,  孙小菡 ,  蒋卫锋 ,  刘旭 ,  胥爱民 ,  吴体荣

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G03F7/00

Abstract: 一种刻蚀高深度光波导的制备工艺，包括以下步骤：1）用沉积法，在衬底上制备掺杂的芯层，形成平板光波导；2）用光刻工艺，在步骤1）制取的平板光波导上获得与掩模版图形相反的光刻胶掩模；3）用溅射工艺，在步骤2）获取的样品表面制备金属掩模；4）清洗去除与掩模版图形相反的光刻胶掩模及金属掩模；5）用光刻工艺，在步骤4）制作的金属掩模层上，再增加与金属掩模层具有相同图形的光刻胶层；6）使用RIE设备，通入SF4、CHF3、O2、He气体，制作光波导芯层；7）制作上包层。与标准工艺相比，这种方法可利用普通反应离子刻蚀设备制作高深度光波导，且制作的光波导具有垂直的侧壁，侧壁角度大于87度，小于93度。

公开(公告)号：CN102866458A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210296470.8

申请日：2012-08-20

Applicant: 东南大学 ,  南京华脉科技有限公司

Inventor： 柏宁丰 ,  许正英 ,  孙小菡 ,  蒋卫锋 ,  刘旭 ,  胥爱民 ,  吴体荣

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G03F7/00

Abstract: 一种刻蚀高深度光波导的制备工艺，包括以下步骤：1）用沉积法，在衬底上制备掺杂的芯层，形成平板光波导；2）用光刻工艺，在步骤1）制取的平板光波导上获得与掩模版图形相反的光刻胶掩模；3）用溅射工艺，在步骤2）获取的样品表面制备金属掩模；4）清洗去除与掩模版图形相反的光刻胶掩模及金属掩模；5）用光刻工艺，在步骤4）制作的金属掩模层上，再增加与金属掩模层具有相同图形的光刻胶层，6）使用RIE设备，通入SF4、CHF3、O2、He气体，制作光波导芯层；7）制作上包层。与标准工艺相比，这种方法可利用普通反应离子刻蚀设备制作高深度光波导，且制作的光波导具有垂直的侧壁，侧壁角度大于87度，小于93度。