公开(公告)号：CN113594260A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110828889.2

申请日：2021-07-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴汪然 ,  李梦遥 ,  杨光安 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/34

Abstract: 一种IGZO薄膜晶体管及其制造方法，所述创新型结构IGZO薄膜晶体管包括：基底、背栅、背栅介电层、源极、漏极、IGZO层、顶栅介电层、顶栅极。所述背栅电极层水平位置上与漏区电极具有0.2μm的交叠长度，水平位置上距离源区电极18μm的长度；所述的IGZO有源层分为栅控区域的沟道区和非栅控区域的偏移区，沟道区长度20μm，偏移区长度0.1μm；所述的顶栅电极层水平位置上距离漏区电极0.1μm的长度，水平位置上与源区电极具有1μm的交叠长度。本发明制作的非对称双栅极IGZO薄膜晶体管，顶栅处偏移区的引入能够降低顶栅介电层中的峰值电场，提高器件的耐压特性。

公开(公告)号：CN113270501A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110549758.0

申请日：2021-05-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴汪然 ,  李梦遥 ,  杨光安 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明提供了一种功率IGZO薄膜晶体管及其制备方法，所述方法包括：衬底、栅电极层、栅极绝缘层、源极、漏极、IGZO层、Al膜覆盖层。在水平方向上，所述栅电极层与源区电极的交叠长度为2μm，与漏区电极的偏移长度也为2μm；所述的IGZO有源层水平方向上分为栅控区域的沟道区和非栅控区域的Al膜覆盖层，Al膜覆盖层长度为3μm，包含与漏区电极交叠长度1μm和栅漏偏移区长度2μm；制备好的Al膜覆盖层在300℃下N2氛围退火5‑10min。本发明的Al膜退火工艺，能够增加偏移区的电子浓度，显著降低偏移区的导通电阻，提高器件工作电流密度，进而有效提升功率密度。