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公开(公告)号：CN114662687A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210263886.3
申请日：2022-03-15
Applicant: 东南大学
IPC: G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于层间互信息的图对比学习方法及系统。所述系统包括据预处理模块、网络模型模块、训练控制模块、性能验证模块，所述数据预处理模块用于将待解决非欧式集合输出抽象为图数据并符号化表示；所述网络模型模块代表图神经网络模型的前向传播计算过程；所述训练控制模块负责根据网络模型模块的生成结果计算对应的对比损失函数值，控制梯度下降和反向传播过程，以及设定训练模型中止条件；所述性能验证模块使用节点分类器通过图点分类任务评估和验证所发明的基于层间互信息的图对比学习方法的质量。本发明充分考虑了深度图神经网络的特性，根据提出的层间互信息概念，改进了传统框架中图增强过程存在的缺陷。
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公开(公告)号：CN104568606B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510010411.3
申请日：2015-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明提出了一种绝缘衬底上厚膜硅材料杨氏模量测试结构，用于测量绝缘衬底上厚膜硅材料的杨氏模量。测试结构由三部分组成：相对型电热驱动单元；带测微游标的止挡单元；静电驱动的悬臂梁单元。相对型电热驱动单元和带测微游标的止挡单元垂直连接。利用静电力驱动悬臂梁做面内的横向弯曲运动。止挡结构用于控制弯曲量，并用于防止出现吸合而产生的测量不稳定问题。止挡结构的移动由热膨胀驱动结构实现，止挡结构的移动量由游标进行测量。为防止工艺误差导致的位置测不准问题，采用两次测位的方式进行，即第一次热驱动止挡结构接触到悬臂梁，读出游标位置，然后减小驱动电流产生微小的间隙，由游标记录这种间隙即最终的弯曲挠度。
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公开(公告)号：CN104034583B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410243090.7
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明提出了一种薄膜材料泊松比的测试结构及方法，测试结构中，第一组结构包括静电驱动的多晶硅悬臂梁(101)、由待测薄膜材料制作的带有对准结构的非对称十字梁(102)、由待测薄膜材料制作的对称十字梁(103)；第二组结构是第一组结构去除对称十字梁后的剩余结构；对称十字梁由第二锚区(103-2)、第三锚区(103-3)、水平短梁(103-4)、上半竖直长梁(103-1)以及下半竖直长梁(103-5)组成，将力的加载驱动部分和待测薄膜材料制作的泊松比测试结构分开，通过几何参数设计控制泊松比测试结构的测试扭转角，通过两组测试结构的相同部分受力相同的原理提取出泊松比测试结构所受到的力，利用力和扭转角计算得到待测薄膜材料的泊松比。
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公开(公告)号：CN104034449B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410243181.0
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/00
CPC classification number: G01L1/086 , G01L5/0047 , H01L22/14 , H01L22/34
Abstract: 本发明提出了一种薄膜材料残余应力的测试结构及方法，其结构由两组结构组成，第一组结构包括静电驱动的多晶硅悬臂梁(101)、由待测薄膜材料制作的带有对准结构的非对称十字梁(102)、由待测薄膜材料制作的双端固支梁(103)；第二组结构是第一组结构去除固支梁(103)后的剩余结构；将力的加载驱动部分和待测薄膜材料制作的残余应力测试结构分开，通过几何参数设计控制测试结构的弯曲挠度，通过两组测试结构的相同部分受力相同的原理提取出残余应力测试结构所受到的力，利用力和挠度计算得到待测薄膜材料的残余应力。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的计算方法极其简单，适应性广，可以用于测试导电或绝缘薄膜材料的残余应力。
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公开(公告)号：CN103424064B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310399640.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种用于测量微机电结构微小几何尺寸变化量和（或）移动量的高分辨率测微游标尺结构，该高分辨率测微游标尺结构包括：一维移动测量游标尺、用于移动量放大的杠杆机构和相对型电热执行器。该装置利用电流产生热驱动方式移动测试探头，利用杠杆结构增强灵敏度，利用特殊的游标尺测量等效移动量，由杠杆的放大倍率设计可以有效且简单地提高测微分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104596864A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510009655.X
申请日：2015-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/22
Abstract: 本发明提出了一种绝缘衬底上厚膜硅材料泊松比测试结构，用于测量绝缘衬底上厚膜硅材料的泊松比。测试结构由两部分组成：用于悬挂扭转结构的多晶硅固支梁和扭转结构。扭转结构由静电驱动的扭转杆和左右两个限位结构组成。扭转杆的中心是一个扭转梁，扭转梁的上端面连接到多晶硅固支梁的中心位置，形成悬挂-扭转结构。利用静电力驱动扭转杆以扭转梁为轴做扭转运动。利用止挡结构控制扭转角度，形成一个特定的测试角。由扭转梁的长度、宽度和厚度尺寸、厚膜硅材料的杨氏模量以及所施加的静电力可以计算得到厚膜硅材料的泊松比。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的方法极其简单。
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公开(公告)号：CN102664904B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210152929.7
申请日：2012-05-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种被动模式下的隐藏文件传输服务定位方法，主要解决在被动访问模式下对匿名通信系统Tor所提供的隐藏FTP服务进行定位的问题，以对非法FTP服务进行审查和取缔，为网络犯罪的监管提供必要的技术手段。该方法首先假设占据了可疑匿名电路的入口节点，通过FTP客户端的特殊访问模式，利用FTP协议的特点引发匿名电路中的特定流量特征，然后将访问隐藏服务的时间与检测到特定流量特征的时间进行关联，若关联结果大于设定的阈值且检测到流量特征的节点的前一跳不为Tor的洋葱路由节点，则该节点的前一跳节点为隐藏服务器，从而完成了对隐藏FTP服务的定位。
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公开(公告)号：CN104034574A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410243632.0
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提出了一种多晶硅薄膜材料杨氏模量的测试结构及方法，主要用于多晶硅结构层的材料测试。该测试结构由两组结构组成，第一组结构包括静电驱动的多晶硅悬臂梁(101)、由待测薄膜材料制作的带有对准结构的第一非对称十字梁(102)、由待测薄膜材料制作的第二非对称十字梁(103)；第二组结构是第一组结构去除第二非对称十字梁后的剩余结构；测量材料的杨氏模量通常需要知道结构受力大小和结构受力所产生的形变或弯曲的挠度。本发明通过几何参数设计控制测试结构的弯曲挠度，通过两组测试结构的相同部分受力相同的原理提取出杨氏模量测试结构所受到的力，利用力和挠度计算得到多晶硅薄膜材料的杨氏模量。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的方法极其简单。
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公开(公告)号：CN107093955B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710232499.2
申请日：2017-04-11
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 本发明公开了一种直流降压变换器的连续滑模无电流传感器控制方法，该方法基于降压平均状态模型，利用连续滑模控制理论和有限时间观测器设计复合连续控制器，使降压变换器在无需电流传感器的条件下，仍可以精确跟踪参考输入电压，降低系统的硬件成本，提高系统的容错性。同时有限时间观测器还可以用来估计变换器系统因参数摄动、输入电压波动和负载突变引起的干扰，提高系统的抗干扰能力。本发明所设计的无电流传感复合控制器能够在直流降压变换器存在参数摄动、输入电压波动和负载突变的情况下，实现对于参考电压的精确跟踪。通过实例验证，本发明所提出的复合控制器可以消除传统滑模的抖颤现象，并使闭环系统具有良好的响应速度和抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN107093955A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710232499.2
申请日：2017-04-11
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/157
CPC classification number: H02M3/157
Abstract: 本发明公开了一种直流降压变换器的连续滑模无电流传感器控制方法，该方法基于降压平均状态模型，利用连续滑模控制理论和有限时间观测器设计复合连续控制器，使降压变换器在无需电流传感器的条件下，仍可以精确跟踪参考输入电压，降低系统的硬件成本，提高系统的容错性。同时有限时间观测器还可以用来估计变换器系统因参数摄动、输入电压波动和负载突变引起的干扰，提高系统的抗干扰能力。本发明所设计的无电流传感复合控制器能够在直流降压变换器存在参数摄动、输入电压波动和负载突变的情况下，实现对于参考电压的精确跟踪。通过实例验证，本发明所提出的复合控制器可以消除传统滑模的抖颤现象，并使闭环系统具有良好的响应速度和抗干扰能力。
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