公开(公告)号：CN102412786A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110428630.5

申请日：2011-12-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  陈超 ,  刘智林 ,  赵强 ,  温俊峰 ,  王旭东 ,  白春风 ,  田茜

IPC: H03D7/16

CPC classification number: H03H11/0466 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1466

Abstract: 本发明公开一种跨导增强无源混频器，包括混频级和偏置电路；还包括具有跨导增强功能的跨导级、无源混频开关对和增强的负载输出级。具有跨导增强功能的跨导级将输入射频电压转化为射频电流，射频电流经过双平衡混频开关对实现混频，混频后的电流通过跨导增强的负载输出级，转换为中频电压输出。跨导级采用预放大跨导增强结构，使得跨导大大增强，从而在更低的偏置电流下可实现相同的跨导值，射频电流经过混频级的调制作用生成输出中频电流信号。经跨阻放大器形成电压输出，最终得到中频电压信号。该跨阻放大器使用了跨导增强结构，输入阻抗被降低，提高电流利用效率和端口隔离度。具有功耗低，转换增益高、端口隔离度好等特点。

公开(公告)号：CN103762947B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201410015029.7

申请日：2014-01-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  薛晨辉 ,  李红 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种交叉耦合输入的具有噪声抵消性能的低噪声跨导放大器，该放大器包含交叉耦合输入级放大器、片外接受网络以及隔离电路，交叉耦合输入级放大器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第四P型金属氧化物晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容；隔离电路包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容；片外接受网络包括第九电容、第十电容、第五电感、第六电感、模拟天线的信号源和天线内阻；该结构的低噪声跨导放大器具有噪声抵消的功能，同时采用交叉耦合输入，低功耗的性能。

公开(公告)号：CN103078596B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210589611.5

申请日：2012-12-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  杨仲盼 ,  李红 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26

Abstract: 本发明公开了一种全差分低功耗低噪声放大器，该放大器包含共源级放大器和共栅级放大器。其中，共源级放大器包括第一和第二N型金属氧化物晶体管、第一和第二P型金属氧化物晶体管、第一电阻、第二电阻、第五至第八电阻、第一至第五电容；共栅级放大器包括第三和第四P型金属氧化物晶体管、第三和第四电阻。该结构的低噪声放大器对N型金属氧化物晶体管和P型金属氧化物晶体管的静态偏置电流进行复用，同时这种结构也具有噪声抵消的功能。因此，该结构的低噪声放大器具有低功耗和低噪声系数的功能。

公开(公告)号：CN102412786B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201110428630.5

申请日：2011-12-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  陈超 ,  刘智林 ,  赵强 ,  温俊峰 ,  王旭东 ,  白春风 ,  田茜

IPC: H03D7/16

CPC classification number: H03H11/0466 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1466

Abstract: 本发明公开一种跨导增强无源混频器，包括混频级和偏置电路；还包括具有跨导增强功能的跨导级、无源混频开关对和增强的负载输出级。具有跨导增强功能的跨导级将输入射频电压转化为射频电流，射频电流经过双平衡混频开关对实现混频，混频后的电流通过跨导增强的负载输出级，转换为中频电压输出。跨导级采用预放大跨导增强结构，使得跨导大大增强，从而在更低的偏置电流下可实现相同的跨导值，射频电流经过混频级的调制作用生成输出中频电流信号。经跨阻放大器形成电压输出，最终得到中频电压信号。该跨阻放大器使用了跨导增强结构，输入阻抗被降低，提高电流利用效率和端口隔离度。具有功耗低，转换增益高、端口隔离度好等特点。

公开(公告)号：CN103107791A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210590866.3

申请日：2012-12-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  尹海峰 ,  李红 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  徐哲 ,  杨仲盼

IPC: H03G3/30

Abstract: 本发明公开了一种带宽恒定的增益线性可变增益放大器，该可变增益放大器包含共源级放大器和增益调节网络；共源级放大器包括第一N型金属氧化物晶体管、第五N型金属氧化物晶体管、第一P型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管和第一电流源；增益调节网络包括第二至第八N型金属氧化物晶体管、第二至第十电流源和第一至第十五开关。该结构的放大器具有带宽恒定的特点，同时通过不同的控制字，能够使增益达到精确的线性效果。

公开(公告)号：CN202395726U

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201120534103.8

申请日：2011-12-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  陈超 ,  刘智林 ,  赵强 ,  温俊峰 ,  王旭东 ,  白春风 ,  田茜

IPC: H03D7/16

Abstract: 本实用新型公开一种跨导增强无源混频器，包括混频级和偏置电路；还包括具有跨导增强功能的跨导级、无源混频开关对和增强的负载输出级。具有跨导增强功能的跨导级将输入射频电压转化为射频电流，射频电流经过双平衡混频开关对实现混频，混频后的电流通过跨导增强的负载输出级，转换为中频电压输出。跨导级采用预放大跨导增强结构，使得跨导大大增强，从而在更低的偏置电流下可实现相同的跨导值，射频电流经过混频级的调制作用生成输出中频电流信号。经跨阻放大器形成电压输出，最终得到中频电压信号。该跨阻放大器使用了跨导增强结构，输入阻抗被降低，提高电流利用效率和端口隔离度。具有功耗低，转换增益高、端口隔离度好等特点。

公开(公告)号：CN203368405U

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201320460700.X

申请日：2013-07-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  杨仲盼 ,  薛晨辉 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/26

Abstract: 本实用新型公开了一种双路噪声抵消电流复用低噪声放大器，包括共栅级放大器、带负反馈的共源级放大器、第二级共源级放大器和负载级源跟随器；其中，共栅级放大器包括第二N型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管、第一电感、第二电感、第一电容、第三电容；带负反馈的共源级放大器包括第三N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第三电阻、第四电阻、第四电容、第五电容；第二级共源级放大器包括第一P型金属氧化物晶体管、第二电阻、第六电容；负载级源跟随器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二电容、第一电阻。该结构的低噪声放大器具有双路噪声抵消的功能，具有低噪声系数和低功耗的功能。