公开(公告)号：CN1663030A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03815028.X

申请日：2003-06-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口智代 ,  布瀬晓志 ,  藤本究 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  高明辉 ,  榎本隆 ,  伊藤弘治 ,  北村彰规

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312

Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。