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公开(公告)号：CN109390200B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810901047.3
申请日：2018-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其第一载置台(2)由第一部件(20)、片部件(21)和第二部件(22)构成。第一部件(20)在与载置晶片(W)的载置面(2a)相反的背面侧的与载置面(2a)对应的范围内形成有凹部(24)。片部件(21)形成为片状，设置有加热件(21c)和对该加热件(21c)供给电力的引出配线(21d)。片部件(21)以加热件(21c)位于凹部(24)的内部的与载置面(2a)对应的区域，引出配线(21d)位于凹部(24)的侧面的方式配置在凹部(24)内。第二部件(22)与配置了片部件(21)的凹部(24)嵌合。由此，能够抑制对被处理体进行的等离子体处理的面内均匀性的降低。
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公开(公告)号：CN112349646A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010760245.X
申请日：2020-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供载置台和基板处理装置。对基板的最外周的温度进行控制。提供一种载置台，该载置台具有位于基板的外侧的第1面和载置基板的第2面，其中，该载置台与所述第1面对应地形成第1流路。
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公开(公告)号：CN107039326B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201610849464.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台。一实施方式的载置台包括冷却台、供电体、静电吸盘、第一弹性部件和紧固部件。供电体是铝或者铝合金制，为了传送来自高频电源的高频电力而与冷却台连接。静电吸盘的基座具有导电性。吸附部是陶瓷制，内置有吸附用电极和加热器。吸附部通过金属接合与基座结合。第一弹性部件设置在冷却台与基座之间，使静电吸盘与冷却台隔开间隔。第一弹性部件与冷却台和基座一起形成用于对冷却台与基座之间供给传热气体的传热空间。紧固部件是金属制，与冷却台和基座接触，将基座和第一弹性部件挟持在冷却台与紧固部件之间。
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公开(公告)号：CN107039326A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610849464.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台。一实施方式的载置台包括冷却台、供电体、静电吸盘、第一弹性部件和紧固部件。供电体是铝或者铝合金制，为了传送来自高频电源的高频电力而与冷却台连接。静电吸盘的基座具有导电性。吸附部是陶瓷制，内置有吸附用电极和加热器。吸附部通过金属接合与基座结合。第一弹性部件设置在冷却台与基座之间，使静电吸盘与冷却台隔开间隔。第一弹性部件与冷却台和基座一起形成用于对冷却台与基座之间供给传热气体的传热空间。紧固部件是金属制，与冷却台和基座接触，将基座和第一弹性部件挟持在冷却台与紧固部件之间。
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公开(公告)号：CN119725207A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411900700.6
申请日：2020-08-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供基板处理装置。还提供载置台和等离子体处理装置，其使配置于载置台内的收容空间的基板的动作的稳定性提高。载置台包括：基台，其在内部具有收容空间；电介质层，其设于所述基台的第1面，具有载置基板的载置面，该电介质层在内部具有多个加热器；以及加热器控制基板，其配置于所述收容空间内，用于驱动所述多个加热器，所述基台在与所述第1面相反的面即所述基台的第2面具有向所述收容空间内导入制冷剂的导入口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113178375B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202110439990.9
申请日：2018-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种载置台和等离子体处理装置。载置台(2)由第一部件(20)、片部件(21)和第二部件(22)构成。第一部件(20)在与载置晶片(W)的载置面(2a)相反的背面侧的与载置面(2a)对应的范围内形成有凹部(24)。片部件(21)形成为片状，设置有加热件(21c)和对该加热件(21c)供给电力的引出配线(21d)。片部件(21)以加热件(21c)位于凹部(24)的内部的与载置面(2a)对应的区域，引出配线(21d)位于凹部(24)的侧面的方式配置在凹部(24)内。第二部件(22)与配置了片部件(21)的凹部(24)嵌合。由此，能够抑制对被处理体进行的等离子体处理的面内均匀性的降低。
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公开(公告)号：CN109104807B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201810645011.3
申请日：2018-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种减少针对噪声的每个频率重新制作滤波器的功夫的等离子体处理装置。滤波器(102(1))具有空芯线圈(104(1))、外导体以及可动件(120(1)～120(4))。空芯线圈(104(1))具有固定的口径和固定的线圈长度。外导体为筒形，收容或包围空芯线圈(104(1))，与空芯线圈(104(1))组合而形成以多个频率进行并联谐振的分布常数线路。可动件(120(1)～120(4))配置于一个或多个有效区间内，用于变更空芯线圈(104(1))的各个卷线间隙，所述有效区间是在滤波器(102(1))的频率‑阻抗特性中使特定的一个或多个并联谐振频率向高频区域侧或低频区域侧产生移位的区间。
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公开(公告)号：CN112331549A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011162092.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台，其可设定的温度的范围宽广，并且，能够细微地控制基片的面内温度分布。一个实施方式的载置台包括静电吸盘。静电吸盘具有基座和吸盘主体。吸盘主体设置在基座上，利用静电引力保持基片。吸盘主体具有多个第1加热器和多个第2加热器。多个第2加热器的个数比多个第1加热器的个数多。第1加热器控制器利用来自第1电源的交流或直流的输出对多个第1加热器进行驱动。第2加热器控制器利用来自第2电源的交流或直流的输出对多个第2加热器进行驱动，该第2电源具有比来自第1电源的输出的功率低的功率。
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公开(公告)号：CN106463446B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201580024261.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种载置台及等离子体处理装置。本发明的一实施方式的载置台具备支承部件及基座。支承部件具有：载置区域，具有加热器；及外周区域，围绕载置区域。基座具有：第1区域，在其上支承载置区域；及第2区域，围绕第1区域。第2区域中设有贯穿孔。电连接于加热器的配线穿过第2区域的贯穿孔。
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公开(公告)号：CN108987230A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810538396.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台，其可设定的温度的范围宽广，并且，能够细微地控制基片的面内温度分布。一个实施方式的载置台包括静电吸盘。静电吸盘具有基座和吸盘主体。吸盘主体设置在基座上，利用静电引力保持基片。吸盘主体具有多个第1加热器和多个第2加热器。多个第2加热器的个数比多个第1加热器的个数多。第1加热器控制器利用来自第1电源的交流或直流的输出对多个第1加热器进行驱动。第2加热器控制器利用来自第2电源的交流或直流的输出对多个第2加热器进行驱动，该第2电源具有比来自第1电源的输出的功率低的功率。
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