公开(公告)号：CN101685772B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200910175626.5

申请日：2009-09-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。

公开(公告)号：CN101685772A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910175626.5

申请日：2009-09-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。