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公开(公告)号:CN112449473B
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN202010861394.5
申请日:2020-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置、等离子体处理装置和控制方法。本发明的一方式的等离子体探测装置包括:天线部,其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件,安装在形成于处理容器的壁的开口部;和透光部,其设置于所述天线部的内部或者是所述天线部的至少一部分,能够使所述真空空间中生成的等离子体的发出光透射到所述大气空间。根据本发明,能够高精度地监视等离子体生成空间中的自由基密度。
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公开(公告)号:CN112447481A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202010861892.X
申请日:2020-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够监视在实施等离子体处理的期间沉积于等离子体生成空间的膜的膜厚的技术。本发明的一方式的等离子体处理装置包括:处理容器;配置于上述处理容器的内部的与高频电源连接的第1电极;与上述第1电极相对地配置在上述处理容器的内部的接地的第2电极;以及与上述第1电极和上述第2电极的至少一个电极连接的膜厚计算部,其计算沉积于上述至少一个电极的膜的膜厚。
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