公开(公告)号：CN101523517B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200780036318.3

申请日：2007-09-13

Applicant: 鹤见曹达株式会社 ,  东亚合成株式会社

Inventor： 井原孝 ,  藤本孝弘

IPC: H01B13/00 ,  C08J7/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: H05K3/067 ,  H01L21/32134 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0037 ,  H05K1/09 ,  H05K3/064 ,  H05K2201/0329

Abstract: 本发明的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本发明的导电性蚀刻液，其特征为其是选自由下列所组成的族群中的蚀刻液：(1)含有超过0.5重量％、70重量％以下的(NH4)2Ce(NO3)6、或0.5重量％以上、30重量％以下的Ce(SO4)2的蚀刻液；(2)含有超过0.5重量％、30重量％以下的(NH4)4Ce(SO4)4的蚀刻液；(3)作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液；(4)包括含有5重量％以上的盐酸、含有20重量％以上的硝酸，(盐酸浓度+0.51×硝酸浓度)的值为35重量％以下、且(盐酸浓度+0.5×硝酸浓度)的值为30重量％以上的亚硝酰氯的蚀刻液；(5)含有3重量％以上、40重量％以下的溴酸化合物，且含有4重量％以上的无机酸的蚀刻液；(6)含有6重量％以上、40重量％以下的氯酸化合物，且含有7重量％以上的卤化氢的蚀刻液；(7)含有0.001重量％以上、20重量％以下的高锰酸化合物的蚀刻液；以及(8)含有3重量％以上、30重量％以下的六价铬化合物的蚀刻液。

公开(公告)号：CN101981098B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200980110873.5

申请日：2009-03-19

Applicant: 鹤见曹达株式会社 ,  东亚合成株式会社

Inventor： 西村康雄 ,  井原孝

IPC: C08J7/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L51/0017 ,  C08J7/12 ,  C08J2300/108 ,  H01L21/32134 ,  H01L51/0023

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种蚀刻方法及利用所述蚀刻方法蚀刻而成的具有导电性高分子的基板，所述蚀刻方法可以简单且容易地对使用特定的铈(Ⅳ)化合物的导电性高分子的蚀刻进行管理，可以稳定地进行蚀刻。本发明的蚀刻方法的特征在于，包含：蚀刻工序，使用包含特定的铈(Ⅳ)化合物的蚀刻液对导电性高分子进行蚀刻；分析工序，利用选自氧化还原电位测定、氧化还原滴定及电导率测定中的至少一种分析方法对蚀刻液进行分析；以及，管理工序，根据利用所述分析工序所得到的结果对蚀刻工序进行管理。

公开(公告)号：CN102858915A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180018325.7

申请日：2011-03-28

Applicant: 鹤见曹达株式会社 ,  东亚合成株式会社

Inventor： 西村康雄 ,  井原孝 ,  田口裕务

IPC: C09K13/00 ,  H01B13/00

CPC classification number: C09D11/03 ,  C08G73/0266 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3221 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/72 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/2227 ,  C09D179/02 ,  H01L51/0019

Abstract: 本发明的目的在于提供对导电性高分子具有优异的蚀刻能力、所得到的图案的精度高的导电性高分子蚀刻用墨液、以及使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的导电性高分子的图案化方法。本发明的导电性高分子蚀刻用墨液，其特征在于，其包含导电性高分子用蚀刻剂、增稠剂、及水系介质。另外，本发明的导电性高分子的图案化方法是使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的图案化方法。