公开(公告)号：CN108391449A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201680071206.0

申请日：2016-12-02

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 池上由洋 ,  稻叶智雄

IPC: H01L21/22 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L21/225 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 半导体元件的制造方法，其是使用多个半导体基板的半导体元件的制造方法，其特征在于，包括下述(a)~(c)的步骤，在(b)和(c)的步骤中，将两张一组的半导体基板以各自的形成有第一导电型的杂质扩散组合物膜的表面彼此相对的方式进行配置，(a)在各半导体基板的一个表面上涂布第一导电型的杂质扩散组合物从而形成第一导电型的杂质扩散组合物膜的步骤；(b)将形成有前述第一导电型的杂质扩散组合物膜的半导体基板进行加热、使前述第一导电型的杂质向前述半导体基板扩散从而形成第一导电型的杂质扩散层的步骤；(c)在具有包含第二导电型的杂质的气体的氛围下将前述半导体基板进行加热、使第二导电型的杂质向前述半导体基板的另一个表面扩散从而形成第二导电型的杂质扩散层的步骤。提供减少步骤数从而能够高效率地制造半导体元件和太阳能电池的半导体元件、和太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN114945418B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202180008821.8

申请日：2021-01-15

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 林晋吾 ,  稻叶智雄 ,  羽根亮一

IPC: B01D39/14 ,  B01D39/16 ,  B01D53/00 ,  B03C3/28 ,  D04H3/007 ,  D04H3/14

Abstract: 本发明的课题为提供高捕集效率且低压力损失的驻极体熔喷无纺布及使用其而成的过滤器滤材以及空气过滤器，本发明的驻极体熔喷无纺布是由聚烯烃系树脂纤维构成的驻极体熔喷无纺布，其要旨在于，前述无纺布中包含0.1～5.0质量％的受阻胺系化合物，和0.01～1质量％的1种以上的由选自铜、钴、铝、镍、锌、钯、钼、钨中的金属元素的氧化物构成且平均粒径为500nm以下的金属氧化物粒子。

公开(公告)号：CN108391449B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201680071206.0

申请日：2016-12-02

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 池上由洋 ,  稻叶智雄

IPC: H01L21/22 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L21/225 ,  H01L21/223

Abstract: 半导体元件的制造方法，其是使用多个半导体基板的半导体元件的制造方法，其特征在于，包括下述(a)~(c)的步骤，在(b)和(c)的步骤中，将两张一组的半导体基板以各自的形成有第一导电型的杂质扩散组合物膜的表面彼此相对的方式进行配置，(a)在各半导体基板的一个表面上涂布第一导电型的杂质扩散组合物从而形成第一导电型的杂质扩散组合物膜的步骤；(b)将形成有前述第一导电型的杂质扩散组合物膜的半导体基板进行加热、使前述第一导电型的杂质向前述半导体基板扩散从而形成第一导电型的杂质扩散层的步骤；(c)在具有包含第二导电型的杂质的气体的氛围下将前述半导体基板进行加热、使第二导电型的杂质向前述半导体基板的另一个表面扩散从而形成第二导电型的杂质扩散层的步骤。提供减少步骤数从而能够高效率地制造半导体元件和太阳能电池的半导体元件、和太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN110036148A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201780074811.8

申请日：2017-12-04

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 稻叶智雄 ,  井山裕二 ,  小林拓史

IPC: D04H3/007 ,  B01D39/16

Abstract: 本发明提供由热处理带来的透气量的恢复优异、具有高的透气性的驻极体纤维片材。本发明的驻极体纤维片材是由包含热塑性树脂的平均单纤维直径为0.1～8.0μm的长纤维形成的无纺布，上述无纺布体积密度为0.05～0.30g/cm3，并且在上述的长纤维中含有0.005～1.0质量％的晶核剂。