公开(公告)号：CN113272942A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202080008337.0

申请日：2020-02-13

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 河井翔太 ,  清水浩二 ,  村濑清一郎

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明的课题是提供能够用简便的工艺且以低成本制造并且在检查时容易区分布线与源·漏电极的场效应晶体管，主旨是场效应晶体管，其在基板上具备：源电极、漏电极及栅电极；与所述源电极及漏电极接触的半导体层；与所述源电极及漏电极中的各自电连接的布线；和使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层，其中，所述源电极与所述布线的连接部形成连续相，且所述漏电极与所述布线的连接部形成连续相，构成所述连续相的部分至少包含导电性成分和有机成分，所述布线在波长600nm以上且900nm以下的区域中的光反射率的累计值高于所述源电极及漏电极在波长600nm以上且900nm以下的区域中的光反射率的累计值。

公开(公告)号：CN109716491A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780056286.7

申请日：2017-09-06

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 清水浩二 ,  村濑清一郎 ,  河井翔太

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 能够提供场效应晶体管的制造方法，其包括下述工序：在基板的表面上形成栅电极的工序；在所述栅电极上形成栅极绝缘层的工序；在所述栅极绝缘层上利用涂布法形成含有导电体和感光性有机成分的导电膜的工序；从所述基板的背面侧以所述栅电极作为掩模对所述导电膜进行曝光的工序；将曝光后的导电膜显影而形成源电极及漏电极的工序；在所述源电极和所述漏电极之间利用涂布法形成半导体层的工序，由此能够提供可通过简便的工艺制作的、迁移率高、栅电极与源电极·漏电极可进行高精度的对位的FET、半导体器件、RFID。

公开(公告)号：CN108292630A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068078.4

申请日：2016-11-21

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 胁田润史 ,  清水浩二 ,  河井翔太 ,  村濑清一郎

IPC: H01L21/8246 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01B1/22 ,  H01B5/16 ,  H01L21/288 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01B1/22 ,  H01B5/16 ,  H01L21/288 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 提供驱动电压低、可通过涂布而形成的铁电体存储元件。至少具备第一导电膜、第二导电膜、和设置于所述第一导电膜与所述第二导电膜之间的铁电体层的铁电体存储元件，其中，所述铁电体层含有铁电体粒子及有机成分，并且，所述铁电体粒子的平均粒径为30～500nm。